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三:触发与上电I 与CN4连接的开机小板上有个磁感开关,当笔记本盖子打开后装在屏上的磁铁与磁感开关远离,磁感开关因没有强磁场控制输出无效的高电平LID_EC#。EC只有侦测到LID_EC#为高电平才会响应开机动作。 按开关后发送了一个高低高的NBSWON#信号给EC,EC收到动作信号后并不是马上发DNBSWON#1给南桥,因此时南桥除了RTC电路得到了电压在工作外并没有得到SUS供电,它无法返回信号给EC。所以EC是先发S5_ON打开S5电压 S5_ON经电平转换后变成S5_OND开启+3VS5和+5VS5。 这两个电压供给了南桥,南桥才能响应EC动作(必要不充分条件)。 南桥要响应EC,还有一个很重要的条件是RSMRST#,所以EC下一步动作就是发送RSMRST#,,这样南桥就已经具备响应EC的条件,等待EC进一步动作。 EC下一步动作就是发送高低高的DNBSWON#1给南桥请求开机信号,南桥响应回复SUSC#、SUSB#确认。EC收到信号依次开启SUSON、MAINON、VRON。下面逐逐一分析。 1. SUSON SUSON是开启S3状态下的电压的,主要用于内存、USB、TOUCHPAD、NEWCARK供电。 SUSON首先电平转换为SUSD开启+3VSUS和+5VSUS +3VSUS主要用于NEWCARD供电,此外用于一些信号上拉。+5VSUS主要用于USB供电。 SUSON还用来开启内存主供电。 控制芯片用的是TPS51116REGR,这个芯片可控制输出1.8V的DDR2供电和2.5V的DDR供电,也工作在电压可调模式(1.5v-3.0v),同时它能通过线性调压直接输出VTT和VTTREF,两个开启信号分别为S5和S3它们在电路上对应为SUSON和MAINON.同时芯片具备过热保护功能。它有20脚的PWP和24脚QFN两种封装形式,脚位排列各不相同,但引脚定义是一样的。如下是脚位定义信息。 TPS51116引脚定义。注:一些常见引脚不再做说明 COMP Output of the transconductance amplifier for phase compensation. Connect to V5IN to disable gm amplifier and use D- CAP mode. 相位补偿中的跨导放大器输出,连接到V5IN关闭GM放大器使用D-CAP模式 CS Current sense comparator input (-) for resistor current sense scheme. Or over current trip voltage setting input for RDS(on) current sense scheme if connected to V5IN (PWP), V5FILT (RGE) through the voltage setting resistor. 电阻电流侦测方案中的电流侦测比较器反相输入,如果通过电阻设置连接到V5IN(PWP),V5FILT(RGE)则是RDS(ON)电流侦测方案中的过 流电压设置输入 DRVH Switching (top) MOSFET gate drive output. 不解释 DRVL Rectifying (bottom) MOSFET gate drive output. 不解释 GND Signal ground. Connect to minus terminal of the VTT LDO output capacitor 不解释 CS_GND Current sense comparator input (+) and ground for powergood circuit. 电源好电路的地、电流侦测比较器正相输出 LL Switching (top) MOSFET gate driver return. Current sense comparator input (-) for RDS(on) current sense. 开关MOS管高端管驱动门回路,电流侦测比较器负相输入 MODE Discharge mode setting pin. See VDDQ and VTT Discharge Control section 放电模式选择,见VDDQ和VTT放电控制章节 NC No connect. 不解释 PGND Ground for rectifying (bottom) MOSFET gate driver (PWP, RGE). Also current sense comparator input(+) and ground for powergood circuit (PWP). 不解释 PGOOD Powergood signal open drain output, In HIGH state when VDDQ output voltage is within the target range. 不解释
S3 S3 signal input S3信号输入 S5 S5 signal input S5信号输入 V5IN 5-V power supply input for internal circuits (PWP) and MOSFET gate drivers (PWP, RGE). 内部电路5V供电(PWP封装),MOS管驱动门供电(PWP和RGE封装) V5FILT Filtered 5-V power supply input for internal circuits. Connect R-C network from V5IN to V5FILT. 过滤过的5V内部电路供电,通过RC网络连接V5IN和V5FILT VBST Switching (top) MOSFET driver bootstrap voltage input. 不解释 VDDQSET VDDQ output voltage setting pin. See VDDQ Output Voltage Selection section. VDDQ输出电压设置脚,详见VDDQ输出电压选择章节 VDDQSNS VDDQ reference input for VTT and VTTREF. Power supply for the VTTREF. Discharge current sinking terminal for VDDQ Non-tracking discharge. Output voltage feedback input for VDDQ output if VDDQSET pin is connected to V5IN or GND. VDDQ给VTT和VTTREF的参考电压输入,VTTREF的供电,VDDQ的Non-tracking discharge放电电流终端。如果VDDQSET连接到V5IN或者 GND则是VDDQ输出反馈 VLDOIN Power supply for the VTT LDO. VTT线性电压的供电 VTT Power output for the VTT LDO. VTT线性电压输出 VTTGND Power ground output for the VTT LDO. VTT线性电压的地 VTTREF VTTREF buffered reference output. VTTREF参考输出 VTTSNS Voltage sense input for the VTT LDO. Connect to plus terminal of the VTT LDO output capacitor. VTT线性电压侦测输入,连接到VTT线性电压输出电容正端
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