内存维修知识

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内存芯片封装方式

　　内存颗粒的封装方式最常见的有SOJ、TSOP II、Tiny-BGA、BLP、μBGA等封装，而未来趋势则将向CSP发展。

1.SOJ（Small Out-Line J-Lead）小尺寸J形引脚封装

  SOJ封装方式是指内存芯片的两边有一排小的J形引脚，直接黏着在印刷电路板的表面上。它是一种表面装配的打孔封装技术，针脚的形状就像字母"J"，由此而得名。SOJ封装一般应用在EDO DRAM。

2.Tiny-BGA（Tiny Ball Grid Array）小型球栅阵列封装

　　TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而TinyBGA则是由芯片中心方向引出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频，而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。

3.BLP（Bottom Lead PacKage）底部引交封装

  樵风（ALUKA）金条的内存颗粒采用特殊的BLP封装方式，该封装技术在传统封装技术的基础上采用一种逆向电路，由底部直接伸出引脚，其优点就是能节省约90%电路，使封装尺寸电阻及芯片表面温度大幅下降。和传统的TSOP封装的内存颗粒相比，其芯片面积与填充装面积之比大于1：1.1，明显要小很多，不仅高度和面积极小，而且电气特性得到了进一步的提高，制造成本也不高，BLP封装与KINGMAX的TINY-BGA封装比较相似，BLP的封装技术使得电阻值大幅下降，芯片温度也大幅下降，可稳定工作的频率更高。

4.SIMM（single in-line memory module）单内置内存模型

  SIMM模块包括了一个或多个RAM芯片，这些芯片在一块小的集成电路板上，利用电路板上的引脚与计算机的主板相连接。因为用户需要对内存进行扩展，只需要加入一些新的SIMM就可以了。SIMM根据内存颗粒分布可以分为单面内存和双面内存，一般的容量为1、4、16MB的SIMM内存都是单面的，更大的容量的SIMM内存是双面的。30线SIMM内存条出现较早，根据当时的技术需要，只支持8位的数据传输，如要支持32位就必须要有四条30线SIMM内存条。这种内存条多用在386或早期的486主板上。72线SIMM内存条可支持32位的数据传输，在586主板基本上都提供的是72线SIMM内存插槽。需要注意的是，Pentium处理器的数据传输是64位的，现在采用Intel的Triton或Triton Ⅱ芯片组的586主板需要成对的使用这种内存条；而采用SIS芯片组的586主板由于SIS芯片采用了一些特殊的技术，能够使用单条的72线内存条。

5.DIMM（dual in-line memory module）双内置存储模型

  DIMM模块是目前最常见的内存模块，它是也可以说是两个SIMM。它是包括有一个或多个RAM芯片在一个小的集成电路板上，利用这块电路板上的一些引脚可以直接和计算机主板相连接。一个DIMM有168引脚，这种内存条支持64位的数据传输。DIMM是目前我们使用的内存的主要封装形式，比如SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM，其中SDRAM具有168线引脚并且提供了64bit数据寻址能力。DIMM的工作电压一般是3.3v或者5v，并且分为unbuffered和buffered两种。而SIMM和DIMM内存之间不仅仅是引脚数目的不同，另外在电气特性、封装特点上都有明显的差别，特别是它们的芯片之间的差别相当的大。因为按照原来内存制造方法，制造这种内存的时候是不需要把64个芯片组装在一起构成一个64bit的模块的，得益于今年来生产工艺的提高和改进，现在的高密度DRAM芯片可以具有不止一个Din和Dout信号引脚，并且可以根据不同的需要在DRAM芯片上制造4、8、16、32或者64条数据引脚。在Pentium级以上的处理器是64位总线，使用这样的内存更能发挥处理器的性能。

6.TSOP（Thin Small Outline Package）薄型小尺寸封装。

  TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚，如SDRAM内存的集成电路两侧都有引脚，SGRAM内存的集成电路四面都有引脚。TSOP适合用SMT技术（表面安装技术）在PCB（印制电路板）上安装布线。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。改进的TSOP技术目前广泛应用于SDRAM内存的制造上，不少知名内存制造商如三星、现代、Kingston等目前都在采用这项技术进行内存封装。不过，TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB办传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后，会产品较大的信号干扰和电磁干扰。

7.BGA（Ball Grid Array）球状矩阵排列封装

（见下文的芯片组封装）

8.CSP（Chip Scale Package）芯片级封装

  CSP作为新一代的芯片封装技术，在BGA、TSOP的基础上，它的性能又有了革命性的提升。

　　CSP，全称为Chip Scale Pack-age，即芯片尺寸封装的意思。作为新一代的芯片封装技术，在BGA、TSOP的基础上，CSP的性能又有了革命性的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1∶1.14，已经相当接近1∶1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高3倍。CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2毫米，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性。与BGA、TOSP相比CSP封装的电气性能和可靠性也有相当大的提高。并且，在相同的芯片面积下CSP所能达到的引脚数明显要比TSOP、BGA引脚数多得多，这样它可支持I/O端口的数目就增加了很多。此外，CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%～20%。

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加一点
SOJ：用在486~586时代的 EDO内存上使用这种封装颗粒，内存的速度不是一般的慢 （60nm左右）
2.Tiny-BGA：没有见过，，我也不好讲，，呵呵，貌似早期的 SDRAM内存上有见过，看上去像是内存颗粒像是BGA一样封装的，其实这种内存颗粒速度也快不了那里去，顶多是PC1300的速度
3.BLP：头次听说，没见过，不要见怪啊，，
4.SIMM：这个最好理解了，可以简单的理解为 单面的DDR内存
5.DIMM:这个同上，可以理解为 上面的DDR内存
6.TSOP：2003~2006年最常见的，也就是金士顿DDR400 512M内存上使用的内存颗粒的封装形式，这种内存速度最快也就是 DDR400的水平，频率一般都为 200MHz
7.BGA：DDR2内存中最常见的，就是那个四四方方的，引脚用锡球旱在PCB板上的，这种内存颗粒速度比较快，但是由于面积小，散热比较次，用久了由于热胀冷缩，容易造成底部的锡球脱离，同时抗震能力比较菜，搞不好掉到地上，这个内存就OVER了（本人看到这种内存最窝心了 ）

8.CSP：可为最新的封装技术，现在的许多闪盘的存储芯片都时使用这种封装技术，它将N片储存芯片集成（叠加）到一片 储存芯片上，，所以现在2G的U盘也可以做得那么小，已经不足为奇了，但是由于考虑到散热问题，这种形式的内存颗粒暂时还没有出现。


以上为观点本人