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82#
发表于 2010-11-29 10:45:32
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来自: 云南昆明 来自 云南昆明
无意中看到这个帖子,怀着万分激动的心情把它看完,有些疑惑的地方,查询了一些资料后做了一点笔记,请各位大大给匡正下
1.1M欧的电阻是不能给Supply限流的(U=IR),电阻太大负载没法儿工作;估计可以在RC电路中设定经由C的电流值
2.。MOS管的V_GS过高会导致I_GS过大导致PN结击穿(I=U/R);V_GS不足会导致DS极导通电阻R_ON值过大偏离设计值在应用中导致热击穿(P=I^2*R)。
3.晶体管是电流控制型器,晶体管工作需要BE偏置,偏置的不同使其工作在线性区(常规放大)和非线性区(电子开关或D类放大);FET是电压控制型器件,我们常用的绝缘栅型MOSFET管在电压控制方面就愈加显现他的优势。MOSFET的GS结近乎绝缘,工作时通过PN结的电流以纳安级记,V_GS几乎可以用电势来形容。如果G极悬空可能会出现G极电荷积累,累积的程度是不容易测定的,刚才说过GS结近乎绝缘,并且于是器件的结电容很小,万用表几乎无法测量。当G极电势达到一定强度后,G极状态不可控导致器件状态不稳定而出现“事故”,譬如常见的BUCK类型开关电源中的N沟道增强型MOS管,高端管+低端同步整流;如果是P沟道增强型MOS管可能出现V_GS达不到临界值,DS无法正常导通或R_ON过大,造成开关状态不稳定或负载能力达不到设计要求。 |
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