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月夜宁静 发表于 2022-02-06 20:07
考虑过这个问题没有?
主控IC有个灾难模式(有些IC的PDF里有注释,有些只有超压和超流说明),当上行MOS击穿时,IC会控制下行管和其它相试图稳定电压。
说白了就是其余的下行管一起拉这只击穿的上行管的电流。可如果上行管的参数过高,电流过大,在那瞬间,没等电压电流拉下来,核心显存先挂了。
所以每一相的上下行管在设计时要考虑到负载总功耗需要的电流数,分摊到每一相,再计算出上下行管的参数。
所以建议还是原值代换比较稳妥!
每一项差别不能太大,不然高低负荷交替下对于12v+波动太大,反而造成其他低性能mos管电压波动,从而造成你换的高性能的mos被动波动,而造成击穿。
按电气性能来说,可以替换第一组和最后一组的上管mos,而不要替换当中pwm项上下管的mos和所有下管mos |
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