图是同一条内存刷写前后的对比,刷写前工作频率是333MHz,刷写后是400MHz,即内存刷写前后真实运行频率是667MHz和800MHz(这里的真实频率为工作频率的2倍,平时里所说的内存频率400、533、667、800也是如此算),细心的朋友也应该看出了颗粒编号和序列号完全变了,刷写后的颗粒编号变成了“My QQ is ×××××× .”,序列号变成了198×××××,其实198×××××是我的生日来的哦,内存的颗粒编号和序列号显示的是你的加进去的信息,是不是很有个性!
下面开始修改,第一处是:SDRAM Cycle time at Maximum Supported CAS Latency(内存支持的最大CAS潜伏周期),这里的值是:3.00ns(333MHz),我们改为:2.50ns(400MHz);接下来改Minimum Clock Cycle at CLX-1(最小CAS潜伏周期1)和Minimum Clock Cycle at CLX-2(最小CAS潜伏周期2),把3.75ns(267MHz)和5.00ns(200MHz)分别改为3.00ns(333MHz)和3.75ns(267MHz),现在完成一半了,下面我们把DDR800默认的时序改为5-5-5-18-24(TRAS和TRC不用改动),向下找到Minimum Row Precharge Time(tRP)和Minimum RAS to CAS delay(tRCD),把15.00ns都改为12.50ns,至此,超频部分修改完成!
接着,我们把颗粒编号和序列号都改成自己的个性化信息,找到Module Part Number(颗粒编号)改为“My QQ is ×××××× .(总共18个字节,最大也只能改18个字节,要注意这里哦,而且不支持改为中文和特殊符号)”,Module Serial Number(序列号)改为×××××(这里最多只能改8个字母或数字,建议大家改为数字,因为改F后面的字母后识别不了,而且中文也是不能识别的)。
中文为“行寻址至列寻址延迟时间”,一般选项有2、3、4、5,别名有Active to CMD等。对于延迟时间,当然是数值越小,性能越好。
3、tRP(RAS Precharge Time)
“内存行地址控制器预充电时间”一般只有2、3、4三个选项。这个参数的名称也比较多,一般有RAS Precharge、Precharge to active几种。tRP值越低,预充电参数越小,则内存读写速度就越快。
4、tRAS(RAS Active Time)
“内存行有效至预充电的最短周期”nForce系列主板对它的调节幅度最大,从1到15都可选择。别名也是最多的: Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等等。调整这个参数需要结合具体情况而定,推荐参数选项有5,6或者7这3个。大多数情况还要结合主板和CPU情况,并不是说越大或越小就越好。