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发表于 2009-11-2 20:19:11
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来自: 山西晋城 来自 山西晋城
场效应管是一种电压驱动的元件,与晶体管用电流驱动不同,场效应管可以使用极小的电流产生驱动电压。我们使用的内存就是用这个原理作的。这有一个问题,当静电作用于G极时,静电电压可达上千伏,会击穿管子。早年MOS管必须三极短路运输保存就是这个原因。同时,为了改善管子开关响应特性,也必须在驱动电压撤去后能及时断开。加个泄流电阻正是为了实现这一目的而设的。功率MOS管中还会集成反向保护二极管。 |
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