- 积分
- 56
- 下载分
- 分
- 威望
- 点
- 原创币
- 点
- 下载
- 次
- 上传
- 次
- 注册时间
- 2026-3-6
- 精华
|
马上注册,获取阅读精华内容及下载权限
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
本帖最后由 u1607535 于 2026-3-28 22:00 编辑
上面有有个兄弟问,
看看
逐相隔离供电
断开除 12V 外所有供电,用可调电源设1-2V/1A上电,用热成像找最右侧发热 MOS 管(通常是某相上管)。
断电后,单独测量该相 12V 输入端到输出端的阻值:正常应在几十至几百欧姆;若接近 0Ω,确认是该相上管击穿。
快速替换上管
拆下发热相的上管(多为 N 沟道,型号如 QN3103 等),更换同规格新管。
换好后重新测 12V 阻值,若恢复正常,低电压上电验证无保护即可。
排查驱动 IC 与后级
若换管仍短路,测该相栅极 G 极驱动波形(正常应有 PWM 脉冲);波形异常则更换驱动 IC。
测显存 / 核心供电对地阻值(正常应较高);若偏低,可能是后级芯片软击穿,需进一步排查
我遇到最多的就这三个! |
|