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内存供电种类扫盲贴:
先来了解下内存供电有多少种:脚位数法请参考内存阻值卡上标致,一般为左槽从上往下数。
1。主供电VDDQ:DDR1为2.5V,测量点为槽上第7个引脚,卡口槽右侧往上数第2个。DDR2为1.8V,卡口槽往上数左右各一个均是,当然了,真正的VDDQ主供电并不止这几个测量点,仅做为方便记忆用。
2。基准电压:为主供电VDDQ的一半,测量点,槽的第1脚位置,非常好记,经常由主供电之后经一MOS管过来,注意,这个基准,与我们常说的基准可能有点不一样,比如以RT9173为控制的基准电压,就不是给他的基准,这个后面会再提到。
3。系统管理与数据总线电压,DDR1在91,92脚,电压一般为3.3V,两个均一样,DDR2在119,120脚电压在2.5V左右,一般均来自南桥,也有从IC和时钟IC过来的。
4。内存VDD-SPD电压:DDR1为2.5V,测量点在第184脚,即最后一个脚位。DDR2为3.3V,在倒数第3个脚位,即右侧从下往上数第三个位置,顾名思意,为内存SPD供电。
5。负载供电:比如DDR1代内存的,一般都是来自RT9173的第4个脚,即VOUT1.25V,很多人误把这个当基准电压在侧,包括以前我也这样误会过,经跑线,提供给内存槽旁边一大排68欧姆排阻做为数据传输供电使用,即上拉电阻。至于为什么这个上拉电阻才68欧姆,我也不解,一般上拉与下拉电阻都在1K欧姆阻值以上,希望有更明白的人指出来。
6。6个时钟电压:一般为1.6V,有些板子不一定要全有也为正常的,此时钟有来自北桥的,有来自时钟IC的。
想想就这么多了,不知道有没有缺的,这六个电压应该就是内存的工作条件了吧。希望对新手有用。
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