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IBM在2015年7月完成了全球首款7nm原型芯片的制作，其采用的是7nm FinFET工艺、EUV极紫外光刻技术。
IBM攻克电池技术难关：手机续航3倍提升！ 图 近日IBM宣布，摩尔定律并未终止，5nm芯片可以实现在指甲盖大小中集成300亿颗晶体管。 这是什么概念？ 我们以目前量产10nm的骁龙835举例，后者在相似大小中集成的晶体管数量约30亿。 IBM强调，同样封装面积晶体管数量的增大有非常多的好处，比如降低成本、提高性能，而且非常重要的一点是，5nm加持下，现有设备如手机的电池寿命将提高2~3倍，手机续航时间也会大大延长。 另外，此前的资料显示，5nm可能是物理极限，为此，IBM将开发使用终极绝缘体──气隙(air gap)。 但是这项在手机续航领域的技术，真正用到实际生产还有多长时间，目前还是未可知的。希望这次会真真正正给手机续航时间来一次革命性的颠覆。 |
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