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IBM宣布推出全球首个2NM芯片制造技术吸引了人们的注意。与7nm技术相比，2NM芯片的性能预计将提高45%，或降低75%的能耗，而2NM芯片比目前尖端的2NM芯片更小，速度更快。 据IBM称，手机的电池寿命增加了三倍，用户一次只能充电4天，有助于碳中和，互联网体验更好，自动驾驶功能更强，响应时间也更短。 据报道，台积电的5nm芯片每平方毫米约有1.73亿个晶体管，三星的5nm芯片每平方毫米约有1.27亿个晶体管。新的IBM 2NM芯片每平方毫米约有3.33亿个晶体管，其密度是TSMC 5nm的两倍。
IBM表示，其采用2NM工艺制造的测试芯片采用纳米片堆叠的晶体管，所制成的3层GAA纳米片首次使用底部电介质隔离，能够实现12nm的栅极长度，减少电流泄漏，有助于减少芯片上的功耗。 该芯片的另一项新技术是IBM提出的内部空间干燥工艺，这有助于实现纳米片的开发。该芯片不仅在中间和后端广泛使用EUV技术，例如芯片前端的EUV技术。这种技术最终可以使2NM芯片所需的步骤比7nm少得多，可以促进整个晶圆厂的发展，但也可以降低一些成品晶片的成本。 2NM晶体管(上表Vt)的阈值电压可以根据需要增加和降低，例如，手持设备的电压较低，而用于数百亿超级计算机的CPU电压较高，但IBM没有透露2NM技术是否将使用硅锗通道。 根据公开信息显示，台积电3nm预计2022年量产，2nm则到等到2024年才能进行量产。换言之，如果IBM找台积电代工，我们最早能用上2nm芯片的时间就要等到2024年；如果IBM找三星代工，那么略逊一筹的三星可能就要让我们再推迟一年等到2024年才能用上。
那么，在2024年我们用上相比7nm工艺芯片降低了75%能耗或提升了45%性能的2nm工艺芯片，我们就能把手机做到IBM宣称的四天一充吗？
这恐怕很难吧！对此，你怎么看呢？欢迎在评论区留言互动哦！ |
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