IBM打脸了！台积电1nm以下制程取得重大突破，国产芯也迎来好消息

　　最近全球芯片“闹饥荒”，严重地影响了各行各业的发展，有消息爆料称最快明年可以缓解这一状况。然而半导体行业确风生水起！

　　众所周知，目前半导体主流芯片是5nm，虽说3nm也有在用，但尚不成熟，不过对于企业研发而言，自然是越小越好，可晶片单位面积能容纳的电晶体数目“硅”也是有物理极限的，这就需要新的材料。

　　芯片制造工艺提升越来越难，成本也越来越来高，摩尔定律正在失效的说法越来越多。然而令IBM始料未及的是，半个月不到，芯片又传来好消息！台积电在1nm以下制程取得重大突破，没想到一切来得这么快！

　　近日，台大与台积电、美国麻省理工学院合作研究发现二维材料结合「半金属铋（Bi）」。利用该新材料实现接近量子极限的能效，有望打破摩尔定律极限，可以大幅度降低电阻并且提升电流，从而使其能效和硅一样，实现未来半导体1nm工艺的新制程！不得不说，这一次台积电又走在了技术最前沿。

　　根据台积电方面的消息，运用这种材料后，不仅能够研发生产制造1nm芯片，还能够将芯片缩小至1nm以下，未来或可在2-3年内突破并在3年内实现量产！

　　整个半导体行业的竞争也非常激烈，台积电面临着三星和英特尔的追赶，如今再添上IBM围堵，的确需要有更具说服力的技术亮相才行。不过现在压力最大的应该三星了，还没有任何消息传出来。

　　值得注意的是，台积电这项技术的突破也为我国半导体发展带来了新思路。台积电的成功证实了从材料突破上的可能性，国产芯片产业如果想要实现弯道超车，那么新材料会是一个不错的新方向。