W83301R资料译文

会员3847

1。概述
    W83301R是用于微控制器的ACAPI适应性控制器以及用于其他的计算机应用方面。本质上，该芯片有2个工作模式可以设定，模式A和模式B。
    模式A以开关开控制器从来自ATX电源的电压产生5Vdl电压，以线性控制器产生STR1(2.5Vdual),以母线终端控制器方式为如象RDRAM/DDRRAM的电流源和沉产生1.25Vdual；
    模式B以开关开控制器从来自ATX电源的电压产生5Vdl电压，以及作为稳压用的三个线性控制器，即STR1(2.5Vdual),STR2(3.3Vdual)和STR3(1.8Vdual),所有的输出均可由Vset0,Vset1简单设定。此外，W83301R还可以为每个稳压器提供最多0.2V的额外电压输出以增强性能。
    为减少客户成本和简化电路设计，W83301R集成了一个电荷泵引擎为单N-沟道MOSFET提供较高的驱动电压，也就是说W83301R在所有的应用中只能驱动N-沟道MOSFET。
    另一方面，W83301R还提供PWOK，过电流检测保护每个输出，以及软启动保护所有线性控制器免受电流冲击。W83301R还有一种20引脚SOP封装。

2。特色
   提供灵活的设置方案
       模式A
           提供开关开控制器产生5Vdual
           线性控制器STR1--2.5Vdual(RDRAM/DDRRAM应用)
           母线终端控制器--1.25Vdual用于高速母线沉与源冗余电流应用
       模式B
           提供开关开控制器产生5Vdual
           线性控制器STR1--2.5Vdual（时钟发生器应用）
           线性控制器STR2--3.3Vdual（SDRAM应用）
           线性控制器STR3--1.8Vdual（芯片组应用）
   提供一个开关用于USB,在S5状态通过5Vdlen引脚enable/disable 5Vdl输出
   支持SDRAM/RDRAM/DDRRAM  ACPI-STR 功能
   驱动所有的N沟道场效应管
   所有控制器均为加电软启动
   最多可以在STR1/STR2增加0.2V电压用于超频
   低电压失效监察
   软启动功能
   20脚SOP封装

[ 本帖最后由 张先生 于 2007-6-22 15:01 编辑 ]

会员3847

7.功能描述
7。1模式选择
    W83301R为客户多种应用设计了两种模式如表1所示，模式A和模式B由VSET0引脚设定，该脚接5V则工作在模式A，接地就工作在模式B。
    两种模式都支持一个线性开关，按照S5#和S3#的信号从ATX电源的5V/5Vsb产生一个ACPI适应5Vdl电压。如果有需要，在S5态经过5Vdlen#引脚用户可以关掉整个5Vdl。
    在模式A工作方式，芯片提供线性控制器STR1驱动N沟道MOSFET Q3（见图）从一个外来的3.3Vdull电源产生一个稳定的电压2.5Vdual，2.5Vdual提供给RDRAM/DDRRAM ACPI挂到RAM应用。为了简化电路设计和降低用户成本，W83301R还集成一个母线终端控制器BT驱动两个外接的N沟道MOSFET（Q4，Q5）来产生一个专用的等于STR1输出1/2的ACPI适应电压作为母线冗余电流的源和沉。
    在模式B工作方式，芯片提供3个线性控制器，即STR1--2.5Vdull，STR2--3.3Vdual，STR3--1.8Vdual，3个线性控制器各自驱动一个N沟道MOSFET（Q3,Q4,Q5）为不同用途产生ACPI适用电压。例如STR1--2.5Vdual用于时钟发生器，STR2--3.3Vdual用于SDRAM，STR3--1.8Vdual用于芯片组。
    此外如表1所示，W83301R还提供了一个3-态引脚Vset1用来为更高的性能要求偏置最多0.2V的额外电压，但是在模式A方式下，BT输出电压由VSET1按照STR1输出的一半设定来产生。

7。2 ACPI状态控制
    为了满足ACPI规范，W83301R实现了一个图5所示的状态机制来产生ACPI兼容电源状态转换。
    在状态机制中仅有5个状态引起W83301R聚焦于内存ACPI控制，这5个状态是：G3（机械关断状态），S0（全功率状态），S3（休眠状态挂起到RAM），S5on（软关断状态），S5off；而所有的状态转换到另外的状态按照S3#,S5#和5Vdlen#的条件进行。另一方面，W83301R的情况允许客户在S5状态通过5Vdlen#引脚disable/enable 5Vdull输出。根据S5的状态，有S5on和S5off两个状态存在。在S5off到S5on状态转换期间需要软的斜坡上升机制来保护5Vdl免受电流冲击，W83301R还提供了对每一个STR输出在S5off到S5on状态转换期间软斜坡上升机制。

    在该状态机制下，当打开开关时，来自电源供应器的5V输入达到4.5V，借助于两个条件芯片首先从G3进入S5off,接着斜坡上升进入S5on。着两个条件是：1）在5Vdlen#=0情况下,在待机电源帮助下，恢复5Vdl输出；2）S3#=1和S5#=1，系统将进入S1状态。
    在S5on状态期间，当客户要撤消5Vsb输出（5Vdlen=1)来节省某些供电，芯片将返回到S5off状态。S3#=1和S5#=1时，芯片将驱动所有输出进入S0状态。
    当系统处于S0状态时，当系统较长时间空闲或用户关机系统应该进入S3休眠（S3#=0,S5#=1）或S5软关机（S5#=0）状态。
    当系统挂到RAM时，系统借助（S3#=1,S5#=1,PWOK=1）唤醒并进入S0全功率状态，或者进入在（S5#=0）时进入S5休眠软关断状态。

7。3电荷泵
    为了简化电路设计和给客户一个良好的价格解决方案，W83301R集成了一个开关电容电压倍增电荷泵，用来提供较高的电压（最大到10V）并且每个输出可以驱动单个N沟道场效应管。

7。4电源OK
    W83301R使用一个双向Power OK信号去确认系统可以正常工作。当系统从状态S3跳到状态S0,W83301R将监控从PWOK引脚来的输入信号，去确定外部系统电源是OK，然后转换每个输出进入S0级；另一方面，W83301R将拉低POWER OK信号通知有过电流和诱导低电压发生。

7。5软启动
    在“S5off”到“S5on”以及“S5on”到“S0”状态期间，5Vdual和STR需要相应地从0斜坡上升到设定值。充电电流流入输出电容必须受到限制以避免供电低落。
    在W83301R中，内部18uA电流源（Iss)给外部电容（Css）充电，在SS引脚上产生一个线性斜坡上升电压(Vss)。在前面提及的状态转换中Vss从0回转到大约9V,Vss回转率用于钳制5Vdual和STR输出电压的斜坡上升率。这个输出钳制可避免加电期间掉电事件的发生。因为输出是在恒定的回转率下斜坡上升，用于给任何一个输出电容的充电电流可以用下面的公式计算：
        Icont=Iss X (Cout/Css)

    包含在W83301R里的某些技术进一步减小总的充电电流：在模式B，斜坡上升期间的起始STR(1.8V)从STR1的电流引入以减小充电交迭时间；在模式A,母线终结器是输入钳制的，它的输出电压回转率以及它的充电电流将被限制到STR1的一半。

    请注意，过分减慢斜坡上升率并不推荐。如果那样做，上面提及的状态转换将被延时过多。在Vss斜坡上升到它的上限（大约9V）之前，状态转换将不能完成，也就不会进入下一个状态。

[ 本帖最后由 张先生 于 2007-6-22 15:04 编辑 ]

会员3847

8。1 额定绝对最大值
    强调使用大于那些表中所列出的值可能引起器件永久性损坏。避免给电路加任何高于额定电压的电压。加到最大的条件可能影响可靠性。不使用的输入引脚应该连接到一个适当的逻辑电平（接地或Vdd）。
8。2交流特性（略）
9。封装专题（略）

--------------  完  ----------------------------

其他均为表格，就不翻译了。

[ 本帖最后由 张先生 于 2007-6-22 15:33 编辑 ]

会员4489

模式B
           提供开关开控制器产生5Vdual
           线性控制器STR1--2.5Vdual（时钟发生器应用）
           线性控制器STR2--3.3Vdual（SDRAM应用）
           线性控制器STR3--1.8Vdual（芯片组应用）
这一段太重要了.......