- 积分
- 2111
- 下载分
- 分
- 威望
- 点
- 原创币
- 点
- 下载
- 次
- 上传
- 次
- 注册时间
- 2006-8-30
- 精华
|
楼上的,场效应管别考虑太难,张先生解释的够清楚了
你不妨用非专业的概念来理解,加在控制脚上的电压高低,可以改变另外两个脚之间的“电阻”大小,控制电压为0(或小于阀值),另外两脚电阻视为开路,电压高到到一定幅度时,该电阻很小很小,等于导通,且此时这个很小电阻不再随控制电压升高而变小
在上面两种情况中间,电阻大小随控制电压高低变化而变化
主板上的供电线型MOS,是利用控制极G和源极S之间的电压高低来控制漏极D和源极S之间的导通程度来工作的
以上只能借来参考,不可用于严谨分析
再说说小胖版主的实验,他的实验牺牲对象原来是S极接地,G极有给开关控制脉冲,大家不妨理解它有对地(S极)几伏的电压,它的D极接300V,对换DS极后,GS间的电压是一个极高的接近300V的反偏电压,足以击穿G(栅极)的脆弱的绝缘层
修彩显的朋友知道,飞利浦CRT本采用降压二次电源,它的G极电压很高(和前级推动有隔离耦合电容),和S极间的电压差很小,而升压型电路S极接地或0.几欧电阻接地,G极没必要给很高偏置电压,这两种电路也没人规定一定要用P型或N型的原因是,不管P还是N都是可以当开关用的
降压二次电源多数采用P型管,S级输入近200V的一次电压,D级输出,如果G级不设置偏压,GS间的电压差也就接近200V,同样会加电就烧元件,至少是MOS |
|