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1、P和N 。这个和三极管类似,P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上,N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5V以上。记住这句话,这是关于MOS最重要的知识。
2、增强型耗尽型。大多数管子都是增强型的,耗尽型在无线电设备上有用到,平时说的功率MOS都是增强型的,它的功率可以做得很大
3、记住:不到万不得已不要用P沟道的MOS,价格昂贵、导通电阻大、发热大、效率低,它的唯一的优点是在某些场合中容易驱动,因为只要把栅极电压拉下来就可以了,而N沟道的MOS需要更高的驱动电压,这点很麻烦。
还有,分析电路的时候,P沟道的可看成PNP三极管,N沟道的可堪称NPN的三极管,这样分析会更直观。
对于耗尽型N沟道MOS管栅源之间电压在小于零等于零和大于零的一定范围内均能正常工作?
答;工作是什么意思?就是起作用,起到我们想要它实现得功能得作用,当然就是导通得意思。
从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。原因是制造N沟道耗尽型MOS管时,在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子),如图1(a)所示,因此即使vGS=0时,在这些正离子产生的电场作用下,漏-源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道),只要加上正向电压vDS,就有电流iD。如果加上正的vGS,栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子,沟道加宽,沟道电阻变小,iD增大。反之vGS为负时,沟道中感应的电子减少,沟道变窄,沟道电阻变大,iD减小。当vGS负向增加到某一数值时,导电沟道消失,iD趋于零,管子截止,故称为耗尽型。沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压,仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同,N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值,但是,前者只能在vGS<0的情况下工作。而后者在vGS=0,vGS>0,VP<vGS<0的情况下均能实现对iD的控制,而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻,使栅极电流为零。这是耗尽型MOS管的一个重要特点
只能收集到这些了 尽力了
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