内存芯片识别方法和知识大全

会员181496

内存芯片识别方法

1．LGS：LGS的SDRAM芯片上的标识；
GM72V*****1**T**
GM为LGS产品；
72为SDRAM；
第1，2个*代表容量，16为16Mbit，66为64Mbit；
第3，4个*代表数据位宽，一般为4，8，16等，不补0；
第5个*代表bank，2代表2个，4代表4个；
第6个*代表是第几个版本的内核；
第7个*如果是L就代表低功耗，空白为普通；
“T”为TSOP II封装；“I”为BLP封装；
最后的**代表速度：
7：7ns(143MHz)
7：7.5ns(133MHz)
8：8ns(125MHz)
7K：10ns(PC100 CL2&3)
7J：10ns(PC100 CL3)
10K：10ns(100MHz)
12：12ns(83MHz)
15：15ns(66MHz)

2．Hyundai：现代的SDRAM芯片的标识
HY5*************-**
HY为现代产品，
5*表示芯片类型，57为SDRAM，5D为DDR SDRAM；
第2个*代表工作电压，空白为5伏，“V”为3；3伏，“U”为2；5伏；
第3-5个*代表容量和刷新速度：
16：16Mbit，4k Ref
64：64Mbit，8k Ref
65：64Mbit，4k Ref
128：128Mbit，8k Ref
129：128Mbit，4k Ref
256：256Mbit，16k Ref
257：256Mbit，8K Ref
第6，7个*代表数据位宽，40，80，16，32分别代表4位，8位，16位和32位；
第8个*代表bank，1，2，3分别为2，4，8个bank；
第9个*一般为0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口；
第10个*可为空白或A，B，C，D等，代表内核，越往后越新；
第11个*如为L则为低功耗，空白为普通；
第12，13个*代表封装形式；
最后几位为速度：
7：7ns(143MHz)
8：8ns(133MHz)
10P：10ns(PC100 CL2/3)
10S：10ns(Pc100 CL3)
10：10ns(100MHz)
12：12ns(83MHz)
15：15ns(66MHz)

3．Micron： Micron的SDRAM芯片的标识；
MT48****M**A*TG-***
MT为Micron的产品；
48代表SDRAM，其后的**如为LC则为普通SDRAM；
M后的**表示数据的位宽；4，8，16，32分别代表4位，8位，16位和32位；
Micron的容量要自己算一下，将M前的**和其后的**相乘，得到的结果为容量；
A*代表write recovery（tWR），如A2表示tWR=2clk
TG为TSOP II 封装，LG为TGFP封装；
最后的**代表速度：
7：7ns(143MHz)
75：7.5ns(133MHz)
8*：8ns(125MHz)，其中*为A-E，字母越往后越好；
10：10ns(100MHz CL=3)；
例如：MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit(8*8)，8位。  

如何根据内存芯片标识识别内存(二)

---- 许多朋友都会遇到这样一个问题，在购买内存时不知如何识别内存的品牌、类型、容量、速度等参数。许多人都认为内存不经过主板或专用检测仪检测难于识别，在此我们特为大家提供如下解读内存条的方法。鉴于篇幅限制，这里仅以市场上最常见的现代内存、LG内存以及KingMax内存为例进行说明。
一、现代SDRAM内存芯片的识别  

---- 现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:  

HY 5X X    XXX XX X X X X XX - XX  
① ② ③

④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨
⑩  

---- “HY”表明是现代的产品。  

---- ①代表的是内存芯片种类: “51”为EDO，“57”为SDRAM，“5D”为DDR SDRAM。  

---- ②代表工作电压: “U”为2.5V，“V”为3.3V，空白代表5V。  

---- ③代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表1所示。  
由于文字限制，所以发一点出来，全文需要下载，对新手认识
内存芯片识有一定帮助

会员239900

谢谢，楼主分享。。

会员205269

谢谢楼主分享，正需要，现在还有有些东西没有弄明白。

会员257964

好全面啊，主板学好了就去学修内存，正好用上

会员387483

挺好的..顶起..

会员4651

楼主...这东西也太有年份了吧,???