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楼主: 小彭维修
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[维修经验]

内存插反造成内存供电烧毁修复一例

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41#
发表于 2015-10-15 16:48:41 | 只看该作者 �
同达网络 发表于 2010-7-18 01:45
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这种情况可能是MOS管损坏引起GS存在一定阻抗引起或者MOS管G级到LM324脚存在断线情况。

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42#
发表于 2015-10-15 16:51:05 | 只看该作者 �
西太凉 发表于 2010-8-10 21:47
我不理解内存反了能插的进去吗?

我也觉的是,一般这种情况很少见。

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43#
发表于 2015-10-15 16:54:04 | 只看该作者 �
repol 发表于 2010-6-16 10:20
各位大哥,MOS管代换有没有方法啊,我是新手,找不到,有知道的麻烦说下

注意功率规格和沟道导通性质就行。

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44#
发表于 2015-10-15 16:57:14 | 只看该作者 �
楼主万用表是翻盖的

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45#
发表于 2015-10-15 16:59:16 | 只看该作者 �
小彭维修 发表于 2010-6-16 00:28
测量是好的,可是换上去就不能正常工作,上次在基地也遇到过这样的管子

万用表只能测量元器件处于静态下的工作性能,而当本身上电工作时候,对应耗散温度系列指数却不能检测。

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46#
发表于 2015-10-15 17:14:04 | 只看该作者 �
见过冒烟  电容爆炸的   很危险  电容炸

点评

这里电容没有爆炸,一般本身爆炸是正负极测试点之间阻值短路或输入正级电压超过本身耐压值引起,吹下烧毁的MOS管后测量内存供电电压没有短路,说明 DDR 2.5V电压测试点对地阻值正常,即后级相连输出电感和滤波电容没  详情 回复 发表于 2015-10-15 17:24
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47#
发表于 2015-10-15 17:14:48 | 只看该作者 �
jimmydong 发表于 2010-6-16 12:06
传说的中软击穿?在内存供电还好点,如果在CPU供电或者电源的开关管
那麻烦了,万用表低压测是好的 ...

也可以说是存在软击穿现象。

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48#
发表于 2015-10-15 17:24:19 | 只看该作者 �
yanhuazou11 发表于 2015-10-15 17:14
见过冒烟  电容爆炸的   很危险  电容炸

这里电容没有爆炸,一般本身爆炸是正负极测试点之间阻值短路或输入正级电压超过本身耐压值引起,吹下烧毁的MOS管后测量内存供电电压没有短路,说明 DDR 2.5V电压测试点对地阻值正常,即后级相连输出电感和滤波电容没有存在短路现象。

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49#
发表于 2015-10-15 22:13:04 | 只看该作者 �
运气不好。。。。。

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50#
发表于 2015-10-16 09:42:29 | 只看该作者 �
moodjo 发表于 2010-6-16 21:37
为什么我的不是烧MOS管。我的是内存没有时钟了。

换时钟IC试下或者查下本身工作条件。

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51#
发表于 2015-10-16 11:10:37 | 只看该作者 �
为什么你换了两个管都不能用呢

点评

可能是换的规格和参数不对或本身存在软击穿不良现象。  详情 回复 发表于 2015-10-16 11:14
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52#
发表于 2015-10-16 11:14:40 | 只看该作者 �
默念雨的殇 发表于 2015-10-16 11:10
为什么你换了两个管都不能用呢

可能是换的规格和参数不对或本身存在软击穿不良现象。

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53#
发表于 2015-10-16 12:02:58 | 只看该作者 �
运气 好好啊

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