笔记本供电PWM 原理说明 以及MOS管代换问题

会员1239951

大家好，本人初来宝地， 希望和大家互相学习   本次上传了一个压缩包  里面用了图文并茂的说明，举例说明  觉得可以了 下载来看看  谢谢大家! 我希望和大家共同进步。

会员1239951

这是文件内部的一些描述  供大家看  里面更精彩

四、MOS 管代换问题

l MOS管代换不是简单的就像三极管电容电阻那样代换，如果是那样就没有真正的理解到MOS管。

l MOS管因制造工艺的问题，在内部形成了三个寄生电容，GS一个，GD一个，DS一个，

l MOS管按道理说输入阻抗特别高不至于出现输入损耗，也就是说0输入电流就可以打开MOS，没错，但是要分地方，比如在开关电路中，那就需要大电流，才可以正常驱动打开MOS管，至于为什么后面说。

l 一般代换我们只需要记住这几个参数就可以了，

1. RDS也就是导通直流电阻指的是DS之间

2. 雪崩电流  这个用的少，一般可以忽略，

3. GS之间的寄生体结电容大小

4. DS之间的耐压，一般只能大于原型号，不能小于，但是也不能太大为什么后面说

5. 还有就是封装形式这个不用说了吧！总之参数多的很代换也就这几个

l 代换为什么要考虑直流电阻，那是因为，电路中的电流很大，MOS管内阻大了，会导致电流过大，然后发热量过大，从而功耗过大，效率过低， 如果不知道可以看你代换的MOS管和原管内阻大小，可以查看两个管子的数据手册不用匹配一致可小但是不能太大。如图上面的PQ909

file:///C:/Users/73971/AppData/Local/Temp/ksohtml10328/wps1.jpg

图中红线的部分就是导通后D-S之间的内阻大小。

l 然后就是看GS之间的结电容，这个结电容非常重要，为什么要看这个，你要知道MOS管的驱动电流为什么要那么大，那是因为有这个结电容导致的，MOS驱动需要瞬间的大电流经过结电容快速的把MOS打开，在打开的过程中需要MOS从截止到放大在到饱和一跃而过，如果电流小了，就打开的过程经过放大区时间过长，就是导致驱动不足，输出的波形也不好看，那是因为上升时间太长了导致的，上升时间太长会增加MOS管的损耗，增加损耗就是增加发热量。PS  这一过程也就是MOS管中的 （米勒平台）导致的，GS之间的寄生电容也叫（米勒电容）。

l 结电容知道的方法简单，可以用万用表的电容挡来测量GS之间的容量，一般大小为PF级别的代换的时候可以要结电容低于或者等于这个值。

l 结电容的大小和MOS  D S极之间的耐压有关系，一般耐压高的结电容相对要大一点。

会员1239951

需要完善的地方，
在笔记本PWM 两只下管在电路中  我们会发现MOS的 D-S 极是被调换使用的，但是在教科书里面，说了mos管的DS工艺一样但是因为衬垫问题和寄生体二极管问题，不能调换，但是结型管是可以调换的，这一点也可能是并联多管的原因，还在研究中，
但是在实际的时候是可以互换的，需要区分电路，区分电路的目的是因为内部的寄生二极管导致的
只要你连接在电路中这个寄生体二极管不会对电路造成短路就可以给DS施加反向电压一样可以导通
笔记本电路里面就是这样的  细心看

讲解的不好  请理解    不对的地方请指正

会员1239951

建议出学者多看一下  方便理解！！！！！！

会员1238717

以下载，多谢分享。

会员494089

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会员1050384

这个我们都有看过的啊                           

会员1239951

黑客不要黑我呀 发表于 2020-03-13 22:27
这个我们都有看过的啊                           

看过的 知道原理的  就可以不用再下载了啦！
每个人描述的内容绝对不一样   至少我的内容看了可以举一反三  
可以清楚的知道这上下管 叫什么  工作于什么状态  

来自安卓APP客户端

会员640751

不错，不错，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，

会员1241444

下载了,学习中,谢谢老师

会员613234

谢谢楼主的无私奉献，尽管走了一点弯路，还是最终完美解决。

会员1120351

好好学习！！！！！！！！！！！！

会员1386484

感谢分享！！！！！