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老司机带路:可控硅规划经验总结

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发表于 2019-6-14 14:06 | 显示全部楼层 |阅读模式
过去的几个智能开关项目中,频繁运用可控硅作为无触点开关,期间由于个人对可控硅规划认知粗糙的原因,跳入了好几个“坑”,现在对可控硅规划知识要点进行总结,给大家分享。

可控硅类别:

a. 单向可控硅:门极带阻灵敏型单向可控硅、门极灵敏型单向可控硅、标准型单向可控硅等。

b. 双向可控硅:标准型双向可控硅、四象限双向可控硅、洗衣机专用双向可控硅、高结温双向可控硅、瞬态抑制型双向可控硅等。

c. 电力电子可控硅:电力电子可控硅模块芯片、电力电子可控硅模块组件。

可控硅等效结构:

单向可控硅



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双向可控硅

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对于一个可控硅,主要看其5个参数:

额定平均电流、维持电流、控制极触发电压和电流、 正向阻断峰值电压、反向阻断峰值电压。

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案例1:该电路能否将灯点亮?



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解析:不能,由于控制可控硅关断的1,3引脚没有通路。

案例2:该电路负载通断不受MOC3021控制?



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解析:不受控制,对于交流电,可以不经过MOC3021而直接流过可控硅的1,3引脚使其处于控制极导通状态。

理解可控硅的“象限”

1、为何需要有“象限”这个概念?“象限”通用命名法?(个人认为:对于象限概念的提出,是为了更好地描述、理解可控硅的特点,就如同笛卡尔引入直角坐标系是为了更好地描述二维数据)

2、不一样象限可控硅可靠性探究?

第一象限:MT2+ Igt+

第二象限:MT2+ Igt-

第三象限:MT2 - Igt-

第四象限:MT2 - Igt+



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可控硅从导通到关断的条件?

1、单独撤去控制极电压?

2、MT1,MT2电流小于导通维持电流?

解析:可控硅MT1、MT2流过的电流小于导通维持电流时,可控硅关断,但是单独撤去可控硅控制极电压时,需等到第2个条件满足时才会关断

可控硅JST24、BTA16驱动电流Igt



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一个改进型的可控硅例子



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可控硅规划十条黄金规则

1.为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT ,直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑;

2.要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须<IH, 并维持足够长的时间,使能回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必须满足上述条件;

3. 规划双向可控硅触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,+);

4. 为减少杂波吸收,门极连线长度降至最低。返回线直接连至MT1(或阴极)。若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1 间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一搞定办法,选用H 系列低灵敏度双向可控硅;

5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题,在MT1 和MT2 间加入RC 缓冲电路。若高dICOM/dt 可能引起问题,加入一几mH 的电感和负载串联。另一种搞定办法,采用Hi-Com 双向可控硅;

6. 假如双向可控硅的VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下列措施之一: 负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感,以限制dIT/dt; 用MOV 跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路;

7. 选用好的门极触发电路,避开3+象限工况,可以最大限度提升双向可控硅的dIT/dt 承受能力;

8. 若双向可控硅的dIT/dt 有可能被超出,负载上最好串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种搞定办法:对电阻性负载采用零电压导通;

9. 器件固定到散热器时,避免让双向可控硅受到应力。固定,然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧;

10.为了长期可靠工作,应保证Rth j-a 足够低,维持Tj 不高于Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。

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发表于 2019-6-14 14:07 | 显示全部楼层
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