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一、 待机条件产生原理 1.实时时钟供电RTCVDD BAT电池电压VBATT,通过RB电阻改名为VBAT,一路送到IO检测电池电量,二路送到肖特基二极管D3的1脚,从3脚输出RTCVDD电压,给桥RTC电路提供供电。
2. 实时时钟复位RTCRST# RTCVDD电压 一路通过电阻R188和C114组成的RC延时电路,延时后得到-RTCRST高电平送到CMOS跳线帽CLR_COMS。二路通过R201电阻和C106组成的RC延时电路,延时后得到-RTCRST高电平,送到桥的RTCRTS#脚,复位桥内部RTC电路。 3.实时时钟频率32.768KHZ 桥得到VCCRTC、RTCRST#后,给X2晶振供电,晶振起振产生32.768KHZ频率给桥的RTC电路,桥内部RTC电路开始工作。 4.待机供电3VDUAL 给电源接上电,电源输出5VSB供电,5VSB通过Q82转换为5VDUAL电压输出,通过Q39降压得到3.3V的3VDUAL_SB待机电压,给PCI槽A14脚PCI-E槽B10、南桥的VccSus3-3、VccSus3-3-(1~16)和IO芯片116脚提供待机供电。 5.5V双路供电5VDUAL 电源输出5VSB待机电压,通过R423和R424电阻分压,得到2.5V电压,送到比较器U11A的2脚和U11B的6脚。待机时VCC、+12V无输出,比较器正输入端电压小于负输入端电压,输出低电平。送到Q88的G极和稳压IC Q82的1脚,使Q88截止, 5VSB通过稳压IC Q82转换为5VDUAL电压输出。开机后VCC输出5V电压,+12V输出12V电压,通过电阻分压送到比较器正输入端,比较器正输入端电压大于负输入端电压,比较器输出高阻态,通过+12V上拉为12V高电平使Q88导通,VCC通过Q88、 5VSB通过Q82转换为5VDUAL双路供电电压输出。
6.待机电压好信号-RSMRST IO得到3VDUAL待机供电后,从116脚输出高电平的RSMRST#信号,通过R277电阻上拉为3.3V,发送到南桥表示南桥待机供电正常。
二、触发信号产生原理
1.触发信号 -PWRBTSW 开关针通电阻上拉为5.0V电平,触发开关产生5.0V-0V-5.0V跳变的触发信号,通过电阻R382命名为-PWRBTSW,送到IO芯片IT8718的106脚。
2.上电请求 PWRBTSW IO芯片收到触发信号,并且待机电压正常后,从103脚输出5.0V-0V-5.0V跳变的PWRBTSW信号,送给桥请求上电。
3. 桥收到上电请求信号,并且待机条件正常后,输出持续高电平3.3V的-S4_S5和-SLP_S3信号。-S4_S5信号去开启内存供电,-SLP_S3信号给IO芯片表示允许上电。
3.1内存供电DDR15V 5VDUAL一路通过D49、R351给芯片ISL6545的5脚供电,另一路通过电感L9给Q53的D极供电。芯片通过内部给1脚供电。7脚得高电平的DDR_EN信号后,芯片从2脚和4脚分别输出上下管驱动信号,控制上下管交替导通,将5VDUAL降压得到DDR_15V内存供电。
内存供电开启信号EN
桥输出高电平的-S4_S5信号通过R401电阻送到三极管Q64的B极,使Q64导通,Q57截止,通过芯片ISL6545内部上拉得到高电平的EN信号。
4.开启上电PSON# IO芯片收到-SLP_S3高电平的上电允许信号后,从107脚输出持续低电平的-PSON信号,送给ATX电源。另一路送给Q62的G极使由Q69拉低的EN信号复位。
5.完成上电 ATX电源收到PSON信号拉低绿线后,电源开始工作输出VCC3、VCC、+12V等主供电,完成上电。
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