平板电脑崛起使闪存销量大增

　　平板电脑(Tablet PC)的崛起，让原本供需就不健全的内存(DRAM)产业再度向下沈沦，却为闪存(NAND Flash)应用走入个人电脑(PC)再度开了一扇大门。

　　对DRAM产业而言，一直卯足全力把PC中内建的DRAM模块容量，从2GB升级到4GB，但平板电脑突然间兴起之后，内建Mobile RAM容量居然最大只有512MB，消费者对于笔记本电脑(NB)采购开始观望，但却对于平板电脑为之疯狂，看得DRAM业者心里一直在滴血，若说苹果(Apple)iPad是压垮DRAM产业的最后一根稻草，是一点也不为过。

　　虽然DRAM景气复苏之路漫长，但NAND Flash产业商机可是不能轻易错过，2011年内存大厂都集中火力在NAND Flash扩产上，尤其是内嵌式闪存时代的来临，苹果、诺基亚(Nokia)、戴尔(Dell)、惠普(HP)、宏碁、华硕都主攻智能手机和平板电脑，NAND Flash业者当然要让系统客户军火充裕，才能安心上前方打仗。

　　相较于DRAM产业持续供过于求，各厂扩产速度频踩煞车，NAND Flash业者为迎接内嵌式闪存商机大爆发，三星(Samsung)、东芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)及美光(Micron) 2011年都有新产能加入战场，估计2011年NAND Flash产业资本支出将首度突破100亿美元，位成长率(bit growth)将超过80%。展望未来，各种嵌入式闪存如固态硬盘(SSD)、eMMC、mSATA、iSSD等，几乎都是NAND Flash大厂囊中物，不积极扩产怎么行?

　　三大Flash大厂扩产 抢战闪存商机

　　2011年三星、东芝、新帝和美光3大阵营都有新厂加入营运的计划，其中美光合作伙伴英特尔(Intel)虽然拒绝再玩，但美光可不愿意错过这次嵌入式闪存崛起机会，趁机持续扩大市占率，让美光全球老三的宝座愈坐愈稳。

　　三星在2010年上半就宣布巨额资本支出计划，其中在半导体事业部门的投资金额高达9兆韩元(约新台币2,352亿元)，除了50%投资是用在DRAM制程升级外，另一项最重要的计划就是兴建月产能高达20万片的Line-16新厂。

　　三星Line-16新厂设备可生产DRAM、NAND Flash或相变化内存(PCM)，市场认为保留一定产能给NAND Flash是必然的策略，估计2011年底前Line-16厂房NAND Flash产能，至少可达5万片水平。

　　此外，三星也会让部分8吋晶圆厂产能退役，以及Line-15厂房有机会再增加部分NAND Flash产能，整体而言，三星目前单月NAND Flash产能约30万~32万片，预计到2011年底NAND Flash产能可望增加至35万~40万片(换算成12吋晶圆)。

　　东芝和新帝12吋晶圆厂Fab 5也预计，2011年4月将开始进机器设备，预计个别公司单月产能将至少达3万~4.5万片。

　　美光方面，2010年独自宣布启动新加坡厂扩产计划，虽然不见策略联盟伙伴英特尔的参与，但美光2010年底已完成机器设备装置，公司订立的目标是2011年底达单月产能10万片，而此座厂房的满载产能为20万片水平。

　　此外，过去几年因为NAND Flash制程转进不顺，加上8吋晶圆厂退役后，没有大幅新产能加入下，导致市占率一直衰退的海力士(Hynix)，一直将重心放在DRAM产业上，全力巩固其DRAM老二宝座，因此在NAND Flash产业上，气势显得较为沉寂。

　　海力士在NAND Flash产业上虽然没有宣布大型扩产计划，但旗下还有一座M12厂房已盖好，只是机器设备未移入，不论未来是要扩产DRAM或是NAND Flash产能，未来产能扩充都保持弹性空间。

　　嵌入式闪存让SSD重新走入电脑

　　应用端方面，过去一直无法走进PC产业的NAND Flash，平板电脑和智能型手机应用崛起，等于为NAND Flash开了一条后门，内嵌式闪存直通系统应用，种类包括SSD、eMMC、mSATA、iSSD等，所有商机几乎都是NAND Flash大厂的囊中物。其中不论桌面计算机(DT)、笔记本电脑(NB)和硬盘升级或是PC系统外接式闪存升级，都可应用到3.5吋、2.5吋或是1.8吋SSD产品。

　　Netbook、POS、机顶盒(STB)、打印机可应用mSATA模块等嵌入式闪存产品，再进化到平板计算机或轻薄型NB后，若是mSATA模块体积还太大，还可选用嵌入式SSD产品，如新帝的iSSD产品等。

　　在智能型手机上，eMMC则绝对会是2011年最火红的内嵌式闪存应用，eMMC同时也可以用在平板计算机上，OEM系统厂可以根据产品的体积尺寸、效能等需求，决定是要用mSATA模块、嵌入式SSD或是eMMC等。

　　2011年NAND Flash市场供需将剧烈冲撞

　　市场预估，2011年NAND Flash产业中，平板电脑对NAND Flash产能需求，将较2010年成长至少300%，SSD将会成长200%，而智能型手机NAND Flash产能需求，则会成长将近100%，这几项应用将是NAND Flash需求端最大推手。

　　整体来看，2011年NAND Flash产业位成长率将达80%，乍看之下相当惊人，其中包括各厂转进20奈米制程增加的产出、新厂房的贡献等，但回过头来看需求端，各种嵌入式闪存纷纷问世，似乎也呼应着供给的高成长性。

　　纵使2011年有这么多内嵌式闪存应用出来，也有这么多品牌大厂要推出平板电脑和新款智能型手机，推升NAND Flash需求，但业者对于2011年NAND Flash产业供需状况仍是不敢轻忽，一般市场共识是，2011年上半NAND Flash产业会处于小幅供不应求的情况，但下半年开始因为有多家新产能加入，因此预计会开始转为小幅供过于求，价格才会开始有压力。

　　平板电脑热潮冷却后 才能轮到内存上场

　　全拜平板电脑所赐，给内嵌式闪存再造NAND Flash产业盛世的机会，过去一直无法走入系统端的NAND Flash，在沈寂将近3年之后，可以再度走入PC领域。惟几家欢乐几家愁，平板电脑的崛起，让NAND Flash敞开双手迎接商机，却也让DRAM产业黯然神伤。

    市场认为，平板电脑对于内存使用量不如一般笔记本，是无法改变的事实，往乐观方面想，各大内存厂都会加码投资Mobile RAM和NAND Flash产能，届时可望会排挤部分标准型DRAM产能，让DRAM市场供需不要这么偏颇。再者，市场也在观察，平板电脑究竟会是长远趋势？亦或是蛋塔效应？

    目前正处于平板电脑热潮最兴盛时期，等到大家新鲜感渐渐淡去后，正常的笔记本换机需求仍会再度出笼，加上DRAM价格跌到谷底时，4GB内存搭载需求自然会出笼，届时DRAM产业可望重振雄风。

    在此之前，大家不妨先让NAND Flash表现一阵子，毕竟NAND Flash产业也是沈寂好久，才有机会再战舞台。