ReRAM最近又上了头条，原因是拥有ReRAM技术的IP公司Crossbar与研究固态硬盘主控的Mobiveil达成合作，要将ReRAM带入SSD固态硬盘，600万IOPS随机读取、100万次擦写寿命、85度下断电数据可保存10年之类的字眼也是让人垂涎欲滴。ReRAM要取代NAND闪存了吗？
在百度搜索ReRAM会看到很多与中芯国际有关的结果。今年年初中芯与Crossbar合作试产ReRAM的消息疯曾让一些人认为国产化的ReRAM要取代NAND闪存，以后固态硬盘要便宜了！
大家对闪存国产化与固态硬盘降价一直十分期盼，不过仔细研读新闻之后发现，大家美丽的梦想可能会落空。中芯在合作中更多扮演代工角色，而ReRAM的知识产权掌握在美国公司Crossbar手中。
虽然Crossbar的创始人卢伟出生在中国，但这和国有自主支持产权就没关系了，研究技术成果源自卢伟在密歇根大学任教授时从事的研究。
ReRAM是可变电阻式记忆体，很多特点相似于英特尔傲腾所采用的3D XPoint储存技术，包括更低存取延迟、更高写入寿命、无需擦除直接写入等等，当然还有同样昂贵的成本。
Mobiveil打算将ReRAM引入固态硬盘运用是个大胆的想法，不过这颗固态硬盘离大家有多远？不妨先看看运用3D XPoint技术制造的傲腾DC P4800X：375GB容量报价25999。虽然傲腾3D XPoint到底是PCM还是ReRAM未有定论，但有研究学者认为3D XPoint就是某种形态的ReRAM。
事实上Crossbar并非全球唯一一家研究ReRAM的机构，包括Toshiba、索尼和松下等企业一直没有停止对ReRAM的研究，成本是影响ReRAM容量做大的主要原因。松下和富士通去年研究了一颗容量4MB的ReRAM芯片：用来取代EEPROM运用。过去主板的BIOS芯片就是用EEPROM储存的，从中大约可以想象到ReRAM现在的使用方向了：它更像是NOR型闪存的取代者。
虽然Crossbar在PPT里把ReRAM的容量吹成了2倍于3D NAND闪存，并被一些媒体援引解读为ReRAM密度高、容量大。不过PPT就是PPT，不要问什么时候能兑现承诺，人家只是在谈未来。顺便说一下，根据Techinsights分析，Intel 3D XPoint现阶段的储存密度是0.62 Gb/mm2，只有15nm 2D TLC闪存的一半，更是仅有48层3D闪存的四分之一。Crossbar现在谈的是单颗达到GB容量级，而3D闪存现在已经达到TB容量级。
如果不计成本的话，在追求高性能的企业级领域ReRAM和3D XPoint一类的技术拥有可使用的未来。不过当前的NVMe协议可能又会成为性能的瓶颈，这也就是为什么英特尔说傲腾比闪存快1000倍，实际性能演示却只快出七八倍的原因，软件层的延迟没那么容易降低。
理想很丰满，现实很骨感。人们不会放弃对ReRAM的研究，但在能预见的未来，ReRAM不具备完全取代NAND闪存的能力。期望固态硬盘降价，不如寄望于今年剩下时间里各大闪存原厂的3D制程转换能顺利完成。 
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