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　　纳微半导体销售和营销副总裁Stephen Oliver表示，速率与效率是电源规划中两个至关重要的参数。高开关速度可实现小体积、低成本和更快速充电，高效率则节省能源，但通过硅或分立GaN功率器件，却往往只能实现其中一个目标，要想两者得兼，GaN功率IC将成为必备之选。

　　而从功率电子的发展来看，从1975年线性稳压器到1985年开关稳压器发展的十年间，效率从40%提升至80%，提升约5倍；然而从1985年到2015年，30年间器件尺寸和效率都没有得到显著提升；随着GaN功率IC的诞生，估计在未来十年，功率器件的尺寸将减少3-5倍左右，效率也将提升到95-99%，整个电源行业将因此得到极大的改变。

　　纳微此番推出了两种GaN功率IC：单片集成和半桥型，前者在单芯片中集成了GaN FET (范围110-560 m)、GaN驱动器和GaN逻辑；后者则采用6x8mmQFN封装，包括2x GaN FET (非对称/对称范围110-560 m)、2x GaN驱动器和GaN逻辑(电平-转移、导引、UVLO、击穿、ESD)。

　　纳微共同创始人兼首席执行官Gene Sheridan称，由于其他GaN需要许多元器件，产生复杂的电路，包括隔离电源、隔离驱动、稳压器等，而ALLGaN将除控制芯片以为的多个元器件做了集成，将复杂的电路简单化，易于运用。以此次推出的ALLGaN功率IC为例，它可提供高达40MHz开关速度、密度高达5倍，与硅驱动的GaN功率IC相比，其结构简单，系统成本可降低20%。

　　用GaN功率IC规划的65W参考规划NVE028A采用有源钳位反激(ACF)拓扑结构，开关速度比典型的转换器规划快了3至4倍，损耗降低40%，从而实现了更小的尺寸(51x43x20.5mm)、突破性的功率密度(1.5W/cc, 24W/in3 )和更低的成本，也完全符合欧盟CoC Tier 2及美国能源部6级(DoE VI)所规范的能效标准，更可在满负载下实现超过94%的最高尖峰效率。

　　NVE028A相比先前同级最佳产品减小50%

　　65W参考规划NVE028A可在满负载下实现超过94%的最高尖峰效率

　　无需散热片即可满足客户外壳≤50℃的规范要求

　　Gene Sheridan就晶圆厂产能向用户做出了承诺。他强调说，由于采用了GaN-on-Si晶圆的标准CMOS，使得GaN epi反应器只需6个月的交货时间。而在封装产能方面，则是采用标准工艺及设备的QFN封装，高速最终测验仪只需3个月的交货时间。