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例如DDR1的,通过内存槽打阻值卡,测量内存槽数据地址线电阻,一般 数据地址线一端到北桥,一端通过一个几十欧电阻接1。3V左右电压上,(这个电压我叫不出名字)测量电阻时正反向电阻好像都是得到的几十欧电阻和1。3V电压对地的电阻之和,北桥有短路,两条线之间短路可以通过打阻值确定。 但是北桥开路了,或触点接触不好,我怀疑是测量不到的,困惑中 不知道大家是怎么判断内存方面北桥是否开路? |
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