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5#
发表于 2014-4-18 15:41:44
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来自: 江苏苏州 来自 江苏苏州
一:5V TO 12V(后面以5V做讲解)分2路:一路经过电阻R1给芯片提供工作电压;二路经过D1供芯片BOOT电压;
二:当UGATE为高电平时,Q1为Nmos,Vgs>0(G极电压为boot电压5V,S极为0V;Q1导通瞬间:C2与D1端相连的电压为5V,与Q1 S端链接为0V),Q1导通;当Q1导通时,S极电压升为19V,C2其时2边电压不能特变(及电容二端压差还必须是5V),其实C2与D1端链接的电压为19V+5V=24V,D1反向截止,芯片BOOT脚电压为24V持续为芯片提供BOOT电压,芯片内部通过GATE持续为导通Q1提供电压24V;
当LGATE为高电平时,Q2为Nmos,Vgs>0(G极电压为24V,S极电压为0V);Q2导通瞬间,Q2 D极电压为0V,电容C2 二端压差不变 ,BOOT脚电压由5V通过D1提供,电感L1为储能器件,当Q2导通时,L1放电,以维持输出电压持续;
三:电流反馈和电压反馈:
电流反馈:通过PHASE与地构成回路,侦测电流;
电压反馈:通过输出电压直接通过电阻分压反馈至FB端;
四:输出电压算法:
Vout=19V*[Tlgate/(Tlgate+Tugate)】
Tlgate是Lgate为高电平的时间
Tugate是Ugate为高电平的时间
Tlgate+Tugate为一个上下Nmos管各导通一次的周期。
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