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本帖最后由 itsuppli 于 2013-9-8 18:03 编辑
▼電源銘牌.
▼內部電源的二次側低壓輸出部分採用了目前最新的+12V同步整流 + DC-DC結構，並且可以讓 12V、5V、3.3V的交叉調節能力達到最優，其中在DC-DC模組中還採用了固態電容。
▼因電源供應架構改變及轉換效率的提升，不再需要大尺寸的變壓器.
▼一級EMI濾波部分採用一體式模組化EMI濾波器，其外殼包覆可以有效隔離雜訊的干擾, 上方再改裝加上一枚金屬膜電容,輸入電壓雜訊再抑制.
▼在高階電源架構中常見的繼電器搭配白色的水泥電阻取代傳統NTC(負溫度熱敏電阻) 來做為電路的隔離並且提供湧浪電流保護開關功能，減少電源供應器在運作時產生的電能消耗.
▼二級EMI濾波.
▼整流橋的部分原本使用新電元D15XB60H(600v 15A@107℃)改裝為D25XB60 (600v 25A@98℃)最大可傳輸25A的電流，理論上 110V 電壓下可以提供 2750W 功率輸出， 按照 80% 轉換率計算也可以提供 2200W 功率輸出，相對於額定 400W 的這款電源來說， 留出的余量足夠多了。
▼高壓側部分的Power Mosfet APFC及開關管，20N60S5及FQPF3N80C.
▼原本只有一枚20N60S5(650V 20A 0.19Ω @ 25℃ 208w)，筆者將空焊的位置補上另一枚 20N60S5並聯來增加輸出功率.
▼二次輸出側的部分由於採用DC-DC架構，因此+12v使用兩枚IRFB3307 Power Mosfet 75v 130A並聯輸出，整體功率可達260A @ 25℃(理論值)，+5v為MBR2060CT 60v 20A.
▼筆者將原本PCB的空位補上並改為四枚Power Mosfet IRFB3207，每枚耐壓75v，輸出180A， +12v整體功率可達720A@ 25℃(理論值)，+5v改為蕭特基V60100C 100v 60A， 上方再並聯一枚63CPQ100 100v 60A ，+5v整體功率可達120A@ 25℃(理論值)， 增加輸出能力提升穩定性，並且大幅降低全負載時所產生的高溫.
▼背面.
▼PWM電源管理子板，從上面的型號可以得知這片IC板也同樣應用在高瓦數的電源供應器上.
▼二次輸出側散熱片上的測溫點.
▼分離高低壓信號的光耦合製作在背面PCB上，原本為Cosmo 1010 60v CTR130~260% 改為Toshiba TLP421 80v CTR100~300%
▼電容改裝，並聯多枚4700uf 16v電容，+12v.+5v.+3.3v輸出容值再增加.
▼擠得滿滿的料..
晚點再上負載測試.
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狗仔卡
发表于 2013-9-8 16:03:23
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