几种磁头技术及各自的优缺点

会员532558

1、最初磁头是读写合一，这就是所谓的传统磁头，通过电流变化去感应信号的幅度，读远大于写的速度。

2、薄膜感应（TF1）磁头→在90年—95年间硬盘采用TFI读/写技术，TFI实际上是绕线的磁芯，盘片在磁芯下通过时会在磁头上产生感应电压，TF1读磁头之所以会达到它的能力极限，是因为在提高磁灵敏度的同时，它的写能力却减弱了。

3、各向异性磁阻（AMR）磁头→在90年代中期希捷公司推出AMR技术。AMR磁头使用TF1磁头来完成写操作，用簿条的磁性材料来作为读元件，在有磁场存在的情况下，簿条的电阻会随磁场而变化，进而产生很强的信号，由于磁场变化而引起簿条电阻变化，提高了读灵敏度，进一步提高了面密度，减少元器件数量。但由于AMR薄膜的电阻变化量有限，AMR技最大可以支持3.3GB/平米英寸的记录密度，所以AMR磁头的灵敏度也存在极限。

4．GMR区磁阻技术磁头→GMR磁头继承TF1 AMR中的读/写技术，但它的读磁头对于磁盘上的磁性变化表现出更高的是敏度，它由4层导电材料和磁性材料薄膜构成的：一个传感层，一个引导电片介层，一个磁性的栓层和一个交换层，GMR传感器的灵敏度比AMR磁头大3倍，所以能够提高盘片的密度和性能，目前比较常用的GMR技术。