内存颗粒识别

会员397487

前端总线带宽：

FSB400：64 位总线位宽 * 100 MHz 系统外频 * 4 倍速/ 8 = 3200 MB/s
FSB533：64 位总线位宽 * 133 MHz 系统外频 * 4 倍速/ 8 = 4200 MB/s
FSB800：64 位总线位宽 * 200 MHz 系统外频 * 4 倍速/ 8 = 6400 MB/s

单通道DDR内存带宽：

DDR266：64 位总线位宽 * 133 MHz 工作频率 * 2 倍速/ 8 = 2128 MB/s
DDR333：64 位总线位宽 * 166 MHz 工作频率 * 2 倍速/ 8 = 2666 MB/s
DDR400：64 位总线位宽 * 200 MHz 工作频率 * 2 倍速/ 8 = 3200 MB/s

通道DDR内存带宽：

DDR266：2x 64 位总线位宽 * 133 MHz 工作频率 * 2 倍速/ 8 = 4256 MB/s
DDR333：2x 64 位总线位宽 * 166 MHz 工作频率 * 2 倍速/ 8 = 5332 MB/s
DDR400：2x 64 位总线位宽 * 200 MHz 工作频率 * 2 倍速/ 8 = 6400 MB/s

三星颗粒


一、三星颗粒一般以KM开头
二、内存颗粒类型：4表示DDR SDRAM
三、芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
四、工作电压：H=DDR SDRAM，3.3V、L=DDR SDRAM，2.5V
五、内存颗粒位数：4：4Mbit、8：8 Mbit、16：16 Mbit、32：32 Mbit、64：64 Mbit、12：128 Mbit、25：256 Mbit、51：512 Mbit
六、芯片容量及刷新速度：0：64m /4K [15.6μs]、1：32m/2K [15.6μs]、2：128m/8K [15.6μs]、3：64m/8K [7.8μs]、4：128m/16K [7.8μs]
七、内存八、电压：混合接口LVTTL+SSTL3(3.3V)、1：SSTL2(2.5V)
九、封装类型：T：66针TSOP II、B：BGA、C：微型BGA(CSP)
十、工作频率：0：10ns、100MHz(200Mbps)；8：8ns、125MHz(250Mbps)；Z：7.5ns、133MHz(266Mbps)；Y：6.7ns、150MHz(300Mbps)；6：6ns、166MHz(333Mbps)；5：5ns、200MHz(400Mbps)

HYUNDAI（兼容货泛滥的一个牌子，但是他的原厂条可不是泛泛之辈哦）

一、HY是现代颗粒的标志
二、内存颗粒类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
三、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V　
四、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
五、芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
六、内存BANK：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
七、电压代表：1:SSTL_3、2:SSTL_2
八、芯片版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
九、功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
十、封装类型：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，T TG=16mm TSOP-Ⅱ　　
十一、工作频率：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、K DR266A

Micron（美光）

一、MT是代表Micron的产品
二、内存颗粒类型：48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus
三、工作电压：C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS
四、设备号码
五、内存容量：无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）
六、芯片输出的数据位宽：4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
七、代表封装:TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60 针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA
八、内存颗粒速度：分为四大类 DRAM SD RAMBUS DDR
BANK：3：4排、4：8排
1、DRAM
-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns
2、SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟频率 @ CL3）
-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，- 65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz
3、DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟频率 @ CL=2.5
-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz
4、Rambus（时钟频率）
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz
50ns，-3M=300MHz 53ns

+的含义
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

DDR SDRAM
-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。

九、功耗：L=低耗，blank=普通

WINBOND（华邦）

一、W表示内存颗粒是Winbond生产
二、内存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM?
三、内存的版本号：常见的版本号为B和H；
四、封装类型，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
五、工作时钟频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、 150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

　　我们不光要学会用看编码来识别内存的良莠，假如类似这种的内存呢？

　　不管是DDR还是RAMBUS？我们就没有办法了么？这是们就要动用软件来对内存进行观察了。我在这里给大家推荐 AIDA这个后起之秀，一夜间在INFO软件中走红取代HWINFO绝非偶然，他以他的易用性，人性化，超强的功能赢得了无数的好评。

会员242475

太好了，以前真没这样听说过

会员373361

楼上，老二上也刻上xx电脑吧，呵呵

会员408115

路过学习 啦。