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两边接电的电容起什么作用

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1#
发表于 2010-8-29 10:10:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式 来自: 广东深圳 来自 广东深圳

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两边接电的电容起什么作用。MAX1901的反馈脚18脚和25脚与17脚和26都有一个电容相连,我想问问大家,这个电容在这起什么作用,它的工作原理是什么。在线等,谢谢

2#
发表于 2010-8-29 10:11:15 | 只看该作者 来自: 山西忻州 来自 山西忻州
升压电容吧

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3#
发表于 2010-8-29 10:24:53 | 只看该作者 来自: 河南 来自 河南
就是耦合电容,耦合信号的,应该起不到升压的作用

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4#
发表于 2010-8-29 10:27:08 | 只看该作者 来自: 广东深圳 来自 广东深圳
耦合电容不是两边接信号的为耦合电容吗

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5#
发表于 2010-8-29 10:28:41 | 只看该作者 来自: 广东深圳 来自 广东深圳
回复 菜瓜修电脑 的帖子


    耦合信号,可它两边是电压呀

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6#
发表于 2010-8-29 10:46:40 | 只看该作者 来自: 广东深圳 来自 广东深圳
在线等待朋友的解答

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7#
发表于 2010-8-29 11:00:33 | 只看该作者 来自: 浙江杭州 来自 浙江杭州
那是升压电容,如果是在信号线上的就是藕合电容。

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8#
发表于 2010-8-29 11:23:20 | 只看该作者 来自: 河南 来自 河南
回复 aliangli 的帖子


    怎么说呢,在系统供电上,耦合电容一边接的是LX(电感电压的反馈输入,用来检测电感电压的大小),它这边电压和电感上的电压一样,另一边接的是激放电路脚,通过耦合电容的电压不变,还有一个从VL(线性电压输出)脚通过一个二极管输入激放电路脚的电压,耦合电容过来的电压和后边的这个电压一叠加肯定比耦合电容接LX脚的那边电压大了。
这是我个人的理解。

我先前说的那个过信号可能不对。

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9#
发表于 2010-8-29 11:25:34 | 只看该作者 来自: 河南 来自 河南
要是升压电容的话,那先前师傅教的就不对了,{:3_65:}

点评

估计是芯盛的  发表于 2010-8-29 19:47
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10#
发表于 2010-8-29 11:56:59 | 只看该作者 来自: 江苏 来自 江苏
自举升压电容  隔离电流 通电压

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11#
发表于 2010-8-29 12:00:33 | 只看该作者 来自: 广东深圳 来自 广东深圳
回复 菜瓜修电脑 的帖子


    如果按你这样理解他们两边的电压一样的话,那3V出来这边呢,他也是5VL连到3V的LX3这脚上,那它咋就出来3V呀

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12#
发表于 2010-8-29 12:05:41 | 只看该作者 来自: 广东深圳 来自 广东深圳
回复 凌寒 的帖子


    升压电容咋理解呀,那3V这边也有一个电容和LX3相连,,这边咋出来就是3V呢,谢讲细一点,谢谢啦

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13#
发表于 2010-8-29 14:49:38 | 只看该作者 来自: 广东广州 来自 广东广州
这个电容是与一个二极管成一组构成升压电路,为芯片本身工作提供自举电压。

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14#
发表于 2010-8-29 19:42:51 | 只看该作者 来自: 河南 来自 河南
回复 罗军 的帖子

这位说的我同意,说到我心里了
   

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15#
发表于 2010-8-29 20:21:38 | 只看该作者 来自: 北京 来自 北京
二极管加电容升压是利用电容两边电压不能突变,但是想升压必须是个脉冲。

点评

用示波器看,确实是个脉冲  发表于 2010-9-5 09:36
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16#
发表于 2010-8-29 21:07:11 | 只看该作者 来自: 河南 来自 河南


3V这边:VL5通过一个二极管给BST3一个5V电压,3V电感出的电压一路经过耦合电容在BST3和前面的5V电压叠加,为芯片本身提供自举电压

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17#
发表于 2010-8-29 21:52:36 | 只看该作者 来自: 山西晋中 来自 山西晋中
14楼的朋友说的应该是正确的

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18#
发表于 2010-9-4 23:12:08 | 只看该作者 来自: 广东深圳 来自 广东深圳
升压,那3V这边为什么才3V呢,我问有人说是滤波

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19#
发表于 2010-9-4 23:44:39 | 只看该作者 来自: 辽宁沈阳 来自 辽宁沈阳
Boost High-Side Gate-Drive Supply (BST3 and BST5) Gate-drive voltage for the high-side N-channel switchesis generated by a flying-capacitor boost circuit (Figure 2). The capacitor between BST_ and LX_ isalternately charged from the VL supply and placed par-allel to the high-side MOSFET’s gate-source terminals.On start-up, the synchronous rectifier (low-side MOSFET) forces LX_ to 0V and charges the boostcapacitors to 5V. On the second half-cycle, the SMPSturns on the high-side MOSFET by closing an internalswitch between BST_ and DH_. This provides the nec-essary enhancement voltage to turn on the high-sideswitch, an action that “boosts” the 5V gate-drive signalabove the battery voltage.Ringing at the high-side MOSFET gate (DH3 and DH5)in discontinuous-conduction mode (light loads) is a nat-ural operating condition. It is caused by residual ener-gy in the tank circuit, formed by the inductor and straycapacitance at the switching node, LX. The gate-drivenegative rail is referred to LX, so any ringing there isdirectly coupled to the gate-drive output.



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20#
发表于 2010-9-5 09:12:03 | 只看该作者 来自: 广东深圳 来自 广东深圳
回复 维派科技 的帖子


    能不能讲国语

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