- 积分
- 313
- 下载分
- 分
- 威望
- 点
- 原创币
- 点
- 下载
- 次
- 上传
- 次
- 注册时间
- 2008-12-12
- 精华
|
31#
发表于 2010-4-6 13:42:29
|
只看该作者
来自: 湖北武汉 来自 湖北武汉
本帖最后由 宝国 于 2010-4-6 13:56 编辑
19# 胜哥
楼主分析的这个N沟道的场管S极接到电容的一端,另一端通过正向导通的二极管结到16V上!
在接通16V的瞬间,电容2端的电压不能突变开始充电。充电电压由0V逐渐上升到15.7~15.3V左右(16V-PN结压降)。
这个时候由于电容接到场管的源集,没有0电位公共点,那么电容的正端(接到二极管的那一端)充满电后是15.7~15.3V正电荷,对于电容的另一端(接到源集的一端)就是相当于负的15.7~15.3V,漏极与源极的-压差16V+(15.7~15.3V)=31.7~31.3V。满足了条件之一!
再来看这个场管的G极,楼主分析的是G集由于悬空,电压是0V,所以G极>源极(0V大于负的15.7~15.3V)!个人认为这个分析不成立!
原因是G极悬空的时候,虽然电压为0V,其实这个0V是由于G极悬空没有回路而测不到电压!和场管的G极接地才是真正的0V是2码事!
所以综合上述,这个场管的导通条件不成立!但是由于场管的漏极于源极之间有一个反向的隔离二极管,此时很有可能由于31.7~31.3的耐压而击穿!最终导致这个场管漏极于源极之间击穿短路!
有不对之处,还请广大兄弟指正! |
评分
-
查看全部评分
|