我也出个基础的问题来考考大家吧，关于运算放大器和MOS管的

�*** · 发表于 2009-11-29 11:41:21

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请根据图纸分析回答
1，请详细描述由+3VSUS电压产生+1.8VSUS电压的全部过程。
2，请分别计算图中U8200的5脚和7脚的电压值

�*** · 发表于 2009-11-29 11:45:10

图纸选自ASUS F5V，
几个元件的参数于下
U8200：LM358ADR
R8221：38.3K，R8222：100K
R8218：3.4K

会员141815 · 发表于 2009-11-29 20:27:39

LM358ADR 的内部示意图

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让初学者更加好分析

会员25051 · 发表于 2009-11-29 23:36:08

流程：
--VIN2+上电分析。
vsus_on 3.3v ，通过R8219后到达Q8206B的G级5脚，Q8206B导通，拉低3脚从5v到0v，Q8206A截至。6脚由0v变为1.8v ，（按照电阻分压原理 100/(38.3+100)*2.5v)
--VIN2- 上电分析
U8200 , VIN2 1.8V VIN 0V, 满足 vin2+>vin2- VOUT2输出3.3v高电平， Q8202导通，123脚S级输出1.8v。此时vin2- 和vin2+ 一直满足 vin2-不大于vin2+的工作条件。
--如果 vin2- 因为Q8202本身故障输出 1.8v以上。VOUT2 拉低，Q8202 截至。
--R8218的作用是，反馈Q8202输出脚 123脚的电压给G级。例如如果输出电压高1.8v一点，电阻R8218把增加的电压反馈到G级，G级升高，Q8202的输出曲线就会降低。如果输出脚电压低，也会使G级降低，Q8202输出曲线拉高。

会员141815 · 发表于 2009-11-30 07:14:27

我觉得你在有两个地方有错误我们先看看lm358的内部示意图

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从图中我们可以看出来当vout输出端输出高电平的时候vout=vcc-vces-vr vces=0.3v左右 vr是输出保护取样电阻其阻值应该是毫欧级的所以在这里vout应该约等于vcc 因此我觉得你这句话应该是错误的 U8200 , VIN2 1.8V VIN 0V, 满足 vin2+>vin2- VOUT2输出3.3v高电平输出的是12v的高电平
既然这里是12v了 r8218这里的1.8v这么低的电压是不能引起其g极电压变化的 r8212在这里的作用是在lm358输出端是低电平的时候这时候q8202截止 c8213通过r8212 lm358进行放电从而让v-端侦测1.8v更加灵敏而在1.8v需要建立的时候 vout一边让q8202导通拉过来3.3v给c8213充电使其迅速达到1.8v 另外一方面 vout还可以通过r8218给c8213充电使其达到1.8v的时间更加短所以r8218的作用是提高1.8v端的响应时间的

会员39683 · 发表于 2009-12-1 00:20:17

感觉大家的理解似乎都没到点上~钻了牛角尖~
Q8208在这起扩流作用。没有这个Q8208~电路是一个基本的跟随器，输出的还是1.8V只是带负载力明显不足。
很佩服潘兄的钻研精神当时我看运放的内部图时也是草草收场~哈哈

会员194988 · 发表于 2009-12-30 18:13:06

楼上的一句话醒了我，不然还不知干什么用的。
PQ8202 是N沟道场管，U8200 7脚为高电平时，PQ8202 G为 1.8VSUS0 其Ｓ极　输出　１.８Ｖ
　也就是楼上所说，给后级加大负载。

会员195737 · 发表于 2010-1-1 01:30:53

当VSOS_ON信号为高电平时,导通Q8206B断开Q8206A,2.5VREF经R8221到VIN2+,从VOUT2输出高电平导通MOS管输出,3VSUS就变成1.8VSUS.
5脚电压V=2.5XR8222/(R8221+R82220)
7脚电压不会算...

会员197755 · 发表于 2010-1-20 10:23:08

刚一看觉得“广德星”兄的分析有道理，不过这也不怪他，呵呵因为图纸上标“8206A 8206B”的符号就是错的，查了下8206（UM6K1N ）的资料，发现它是“绝缘栅增强型 N沟道”
而图纸标的是 “FET N沟道耗尽型” 大家都知道 FET耗尽型是不能够用在开关电路里面的，（VGS=0V 时 ID还有电流）所以我觉得首先图纸符号就应该准确会误导人不知道我说的对不不胜赐教

会员197755 · 发表于 2010-1-20 13:48:39

我想用电荷的观点描叙下 R8218在这个电路中起到的作用，说的不好的话请批评。
SI4800最大栅－源电压UGS(max)=±20V，最大漏极电流为9A（25℃）或7A（70℃），峰值漏极电流可达40A，最大功耗为2.5W（25℃）或1.6W（70℃）。SI4800的导通时间tON=13ns（包含导通延迟时间td(ON)=6ns，上升时间tR=7ns），关断时间tOFF=34ns（包含关断延迟时间td(OFF)=23ns，下降时间tF=11ns），跨导gFS=19S。工作温度范围是－55～＋150℃。SI4800内部有一只续流二极管VD，反极性地并联在漏－源极之间（负极接D，正极接S），能对MOSFET功率管起到保护作用。VD的反向恢复时间trr=25ns。

功率MOSFET与双极型晶体管不同，它的栅极电容CGS较大，在导通之前首先要对CGS进行充电，仅当CGS上的电压超过栅－源开启电压〔UGS(th)〕时，MOSFET才开始导通。对SI4800而言，UGS(th)≥0.8V。为了保证MOSFET导通，用来对CGS充电的UGS要比额定值高一些，而且等效栅极电容也比CGS高出许多倍。

SI4800的栅－源电压（UGS）与总栅极电荷（QG）的关系

QG=QGS＋QGD＋QOD（1）

式中：QGS为栅－源极电荷；

QGD为栅－漏极电荷，亦称米勒（Miller）电容上的电荷；

QOD为米勒电容充满后的过充电荷。

当UGS=5V时，QGS=2.7nC，QGD=5nC，
QOD=4.1nC，代入式（1）中不难算出，总栅极电荷QG=11.8nC。

等效栅极电容CEI等于总栅极电荷除以栅－源电压，即

CEI=QG／UGS（2）

将QG=11.8nC及UGS=5V代入式（2）中，可计算出等效栅极电容CEI=2.36nF。需要指出，等效栅极电容远大于实际的栅极电容（即CEI>>CGS），因此，应按CEI来计算在规定时间内导通所需要的栅极峰值驱动电流IG（PK）。IG（PK）等于总栅极电荷除以导通时间，即

IG=QG／tON（3）

将QG=11.8nC，tON=13ns代入式（3）中，可计算出导通时所需的IG(PK)=0.91A。所以用LM358驱动（358内部为射集跟随器，电压放大倍数为1 主要起电流放大的作用）

根据以上来判断：

R8218主要是给栅极电容CGS放电用的（当LM358 OUT端输出低电平的时候）Q8202(SI4800)导通的时候ID电流很大 C8213很快就充饱试想一下如果没有R8218 当VGS=0时 ID怎么减小（Cgs没有地方放电）

会员88333 · 发表于 2010-2-12 15:42:44

好题目，照这图画了一遍，安5、6楼的思路走了一遍，又学到一点~~~谢谢各位！！！

会员199143 · 发表于 2010-2-23 14:25:43

上面高手说的都很透彻了，说点他们没说的：
这里LM358起比较器的作用，5脚为参考电压约1.8V，由电阻分压得来，6脚接输出；当6脚小于5脚电压时，7脚为高电平12V，大于时7脚为0V；这样7脚就产生一个脉宽调制的方波；由于10uF电容滤波，1.8sus就基本稳定在1.8V左右。R8218起加速开关作用，没有的话也能工作，就是可能纹波大点。

会员198943 · 发表于 2010-2-23 15:23:39

借花献佛，发份LM358ADR这颗IC完整的SPEC

会员197422 · 发表于 2010-3-7 21:31:15

我选A 能加分不？

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