求助显卡1.8V供电波形振铃怎么整

会员1609802

5V是线性稳压器所以没有波形，核心供电   显存供电波形都正常，  1.8   1.0波形异常

会员1723

这种是正常的吧，基本不用管，要么就是调整PHASE脚连接到电感的哪个2欧的电阻，好像是调大点还是怎么的，得自行测试

会员1723

资料：在 DC-DC 开关降压（Buck）电路中，‌NMOS 管本身并不内置或标配“阻尼电阻”‌，但为了抑制开关过程中的电压振荡、降低电磁干扰（EMI）以及防止寄生电感与电容形成的 LC 谐振，工程师通常会在电路中‌外加阻尼电阻‌或利用 MOSFET 的‌栅极驱动电阻‌来实现阻尼效果。

阻尼电阻的作用与位置
‌栅极串联电阻（Rg）‌：这是最常见的“阻尼”手段。在 NMOS 的栅极（G）与驱动信号之间串联一个电阻（通常几欧姆到几十欧姆），用于‌减缓开关速度‌，从而降低 dv/dt 和 di/dt，抑制高频振荡和 EMI。该电阻虽不直接称为“阻尼电阻”，但其功能等效于阻尼。
‌RC 缓冲电路（Snubber）‌：在 NMOS 的漏源极（D-S）之间并联 RC 串联网络，其中电阻部分起到‌能量耗散‌作用，吸收开关瞬态产生的尖峰电压，抑制振铃。这里的电阻即为典型的‌阻尼电阻‌。
‌CB 布局优化‌：通过减小开关节点铜箔面积、缩短高 di/dt 路径，也可间接降低寄生参数，减少对阻尼元件的依赖 。‌‌
设计要点
‌阻值选择需权衡‌：电阻过小则阻尼效果不足；过大则增加开关损耗、降低效率。
‌高频应用更关键‌：在 2.2 MHz 等高频转换器中，阻尼措施对满足 CISPR 25 等 EMI 标准至关重要 。
‌同步整流架构中 NMOS 替代续流二极管‌：此时下管 NMOS 的开关行为同样需要阻尼处理，以避免反向恢复或体二极管导通引发的振荡 。‌‌
实际设计中，是否添加离散阻尼电阻取决于具体拓扑、开关频率、Layout 寄生参数及 EMI 要求。许多现代控制器（如 TI LM5141-Q1）已集成‌非对称栅极驱动摆率控制‌等功能，可在无需外部分立阻尼电阻的情况下实现类似效果 。‌‌



这分不给我吗？