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发表于 2009-8-31 21:08:38
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来自: 黑龙江哈尔滨 来自 黑龙江哈尔滨
锗管比硅管的起始工工作电压低、饱和压降较低。三极管导通时,发射极和集电极的电压锗管比硅管更低。因为锗材料制成的PN结比硅材料制成的PN结的正向导通电压低,前者为0.2~0.3V,后者为0.6~0.7V。所以锗三极管在发射极和基极之间只有0.2~0.3V的电压,晶体管就开始工作。
硅三极管比锗管反向漏电流小,输出特性平直、耐压比较高,温度特性较好。
目前多用硅材料制成三极管,特征频率一般都大于3MHz,因此高频管和低频管的界线已不那么明显。
硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。 |
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