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这两天想学习修主板,就把自已以前的电子技术书找出来,从场效应管,三极管开始学!基础很
重要,我不急一天学一点,这是我的学习资料,拿出来共享一下,有不完整或都不对的地方,请高手
给修改一下!今天发第一篇场效管。
电子元件之场管结型场效应管
一:场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)
二:场效应管工做原理
是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小, 场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,,反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道"夹断",此时,场效应管进入截止状态,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vp表示,它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs的绝对值.见输入输出特性。
三:结型场应管
结场型场直流输入电阻可达10^6~~~~10^9欧姆,工做原理栅源电压Ugs控制漏极电源iD。
此图为N道沟,结场型场效应管。S源极、D漏极、G栅极(控制极)
从结型场效应管的结构可看出,我们在D、S间加上电压UDS,则在源极和漏极之间形成电流ID。我们通过改变栅极和源极的反向电压UGS,则可以改变两个PN结阻档层(耗尽层)的宽度。由于栅极区是高掺杂区,所以阻挡层主要降在沟道区。故|UGS|的改变,会引起沟道宽度的变化,其沟道电阻也随之而变,从而改变了漏极电流ID。如|UGS|上升,则沟道变窄,电阻增加,ID下降。反之亦然。所以改变UGS的大小,可以控制漏极电流。这是场效应管工作的基本原理。
结型场应管的特点
(1) 是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态
(2) 结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型 栅场效应管代。 |
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