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发表于 2017-12-13 11:01:47
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来自: LAN 来自 LAN
文后补充证据,Mate9确实有采用三星32GB容量的UFS2.0闪存。
20170422文中补充:Mate9有使用东芝UFS2.0闪存THGB系列(符合UFS2.0标准)芯片。其连续读写和随机读写速度比符合UFS2.1标准的THGA系列要低。THGA除了增加了符合UFS2.1标准的各项功能之外,随机读写性能相对于THGB有很大提升。
——————————————————
看拆机的型号应该是THGBF7G9L4LBATR,这个是Toshiba的64GB的UFS2.0芯片,相应的UFS2.1芯片是THGAF4G9N4LBAIR。以下科普。
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UFS是JEDEC的标准,目前有以下几个版本:
UFS:JESD220-2
UFS1.1:JESD220-1A
UFS2.0:JESD220B(2013年9月)
UFS2.1:JESD220C(2016年3月)
其中,UFS2.0标准要求支持 HS-G2 (双通道最高5.8Gbps)和 HS-G3 (双通道最高11.6Gbps)速度,但对HS-G3速度的支持不是必须的(optional)。
在国内,大部分人认为HS-G2就是UFS2.0,高速的HS-G3就是UFS2.1。但事实上HS-G3 x2仍然在UFS2.0的标准中。
那么,JESD220C(UFS2.1)标准到底里写了什么呢?
UFS 2.1版更新包括加入设备的健康状态描述,其中提供有关设备使用寿命的详细信息,有助于UFS技术的大部份应用;由于支持预防性维护,因此特别适用于汽车电子领域。指令优先功能透过软件为更迫切的任务分配较高优先级,从而有助于提高系统性能;同时,增加安全写入保护,支持现代高阶操作系统与应用所要求的精细粒度写入保护应用。JESD220C Universal Flash Storage version 2.1 offers key improvements over earlier versions and will provide data security through the use of inline cryptography between the SoC and UFS Storage device. UFS 2.1 defines the following updates over the prior version of the standard:a) Inclusion of a Device Health Descriptor: the descriptor provides detailed information on the life of a device, thus allowing for better preventative maintenance, which is advantageous to most areas of the market and especially important in the automotive market.b) Addition of Secure Write Protection: this allows for the use of fine-grained write protection as required by modern high-level operating systems (OS) and applications.c) Field Firmware Update: enables the device vendor to improve performance and implement bug fixes, as well as facilitating the addition of new features in products that have already shipped to end customers.d) Command priority: improves system performance, allowing the software to assign higher priority to more urgent tasks.
UFS2.0和UFS2.1之间的区别不是速度,而是其他辅助功能!
不论是UFS2.0还是UFS2.1,他们的可能的理论最高速度都包括:HS-G2 1-Lane、HS-G2 2-Lane、HS-G3 1-Lane、HS-G3 2-Lane。
(自己画了张表)
三星和东芝目前没有HS-G2 1-Lane的产品,因为和eMMC5.0相比没有明显优势。
从速度来看,300MB/s以下的很可能是eMMC,500MB/s左右的可能是UFS2.0,700MB/s以上的UFS2.0或者UFS2.1都有可能。
————2017年4月22日补充————
东芝的THGB系列虽然是HS-G3 2-Lane的,理论最高速度和THGA一样,但实际使用性能却是有差别的。
东芝关于其新品UFS2.1闪存的描述: UFS | TOSHIBA Storage & Electronic Devices Solutions Company | Americas
Toshiba’s NAND flash memories (NAND) with an integrated controller provide error correction, wear leveling, bad-block management, and more. Their interface is compliant with JEDEC/UFS Version.2.0, eliminating the need for users to perform NAND-specific control.东芝的UFS2.1系列NAND闪存,具有集成的错误纠正、wear leveling、坏区块管理等功能。UFS2.1闪存的接口与UFS2.0是兼容的。 东芝UFS2.1推出时宣传(2016年10月27日):东芝发布UFS 2.1闪存:15nm MLC,读取速度850MB/s
东芝推出的新品直接基于最新的UFS 2.1规范,使用了15nm MLC闪存,容量也是32GB到128GB,不过性能就更强大了,连续读取速度850MB/s,连续写入180MB/s,比前代提升40%、16%,随机读取、写入更是提升120%、80%。 这里的“前代”就是THGB系列的UFS2.0,而速度(特别是随机读写)性能相对有所提高的是THGA系列的UFS2.1。这个速度提升不是标准规定所带来的,而是因为它是新产品。
————2017年4月22日补充结束————
结论:
THGBF7G9L4LBATR并不是UFS2.1,而是UFS2.0。但如果它的速度是HS-G3 2- Lane的,打个擦边球,认为它是大众意义上的UFS2.1似乎也未尝不可(?),理论最高速度没有差别。
但THGBF7G9L4LBATR实际使用时的连续读写和随机读写性能比THGA系列(UFS2.1)的低。
要维权是正当的,毕竟不是真正的UFS2.1。
https://www.jedec.org/standards-documents/focus/flash/universal-flash-storage-ufs
https://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-publishes-universal-flash-storage-ufs-standard-v20
https://toshiba.semicon-storage.com/eu/top.html
http://toshiba.semicon-storage.com/us/product/memory/nand-flash/mlc-nand/ufs.html
http://www.toshiba.com/taec/adinfo/technologymoves/managed-nand.html
http://www.anandtech.com/show/7696/toshiba-and-qualcomm-set-to-introduce-ufs-20-solutions-in-2014
UFS更新4项标准 256GB闪存有望标配手机和无人机 - 国际电子商情网
JEDEC更新UFS标准,瞄准移动应用-缓冲/存储技术-电子工程专辑
iFixit首拆三星Galaxy S8系:闪存居然不是自家货?-知客分享-ZAEKE|知客、让数码更懂你
———————关于拆机图————————
根据目前见到的拆机图(如下),闪存芯片有:
三星 KLUBG4G1CE-B0B1(32GB):UFS2.0 HS-G3 1-Lane (max 5.8Gbps)
东芝 THGBF7G9L4LBATR(64GB):UFS2.0 HS-G3 2-Lane (max 11.6Gbps)
这两个都是UFS2.0。而实际上三星和东芝已经量产UFS2.1的闪存(如KLUCG4J1ED-B0C1和THGAF4G9N4LBAIR),而且所有UFS2.0的闪存都处于EOL(End-of-life)状态,也就是这两家UFS2.0的闪存市面上已经买不到了。
从这两个拆机图,只能确定Mate9有UFS2.0版本的,不能确定Mate9是否有UFS2.1或eMMC版本的。
不过,按理来说新生产的Mate9不应该再有东芝或三星UFS2.0的,但不排除华为存货太多的可能性。
Search Results for KLU
【原图来自中关村在线于2016年12月13日:这工艺让苹果为之胆寒 华为Mate 9拆解】
【原图来自IT168于2016年11月16日:不再外挂电信基带芯片 华为Mate 9拆解】
——————以下为2017.4.21 18:38补充的评论区讨论内容——————
(1)
UFS2.1规定的不是速度。你不能说2.0和2.1两者速度一样,那个芯片就达到了UFS2.1标准。只有满足UFS2.1中的所有要求才行,包括寿命和安全方面的。只不过国内只关心速度,又对UFS2.1理解有误罢了。
按标准,即使速度是5.8Gbps,只要其他功能具备,也可能是符合UFS2.1的。只不过闪存厂商出新品的时候不可能出降速版的,这才有了对UFS2.1内容的误解。
之所以符合UFS2.1的闪存都是11.6Gbps的,是因为它们都是新产品,为了提高竞争力,而不是因为标准要求了这个速度。
(2)
另外,其实HS-G2或HS-G3的速度标准是MIPI联盟在它的物理层协议M-PHY中定义的。而 JEDEC的JESD220只是引用了这个协议,并规定了UFS2.0必须支持HS-G2而已。
(3)
上面的倒数第二张拆机图是三星32GB的UFS2.0闪存芯片(右上),型号 KLUBG4G1CE-B0B1 。推理过程:首先,这个封装是UFS或eMMC闪存;其次,“SEC”表示是三星的芯片;最后,未遮挡的部分能看出来尾部是“CE”。搜索三星所有出过的eMMC和UFS芯片,只有16GB和32GB的UFS2.0闪存满足要求,可以看我中间的那个列表。而Mate9没有16GB的。得到唯一答案 KLUBG4G1CE-B0B1 。还好三星闪存封装上的标签都很直白,而出过的芯片也不多,所以找得到。
后来,我又找到一个Mate9中32GB三星闪存是 KLUBG4G1CE-B0B1 的证据:eWiseTech | 手机拆解 | 智能设备工艺分析 | 手机拆解定制报告 | IC分析 | HUAWEI | Mate 9 (MHA-AL00) | 主板分析, Board, Substrate,印刷电路板
【原图来自eWiseTech于2017年2月24日:eWiseTech | 手机拆解 | 智能设备工艺分析 | 手机拆解定制报告 | IC分析 |】
闪存的标号是 “SEC 643 B0B1 KLUBG4G1CE HSG0M99X ”,也就是说其型号确实是KLUBG4G1CE-B0B1,HS-G3 Lane-1的32G闪存。这款芯片在Moto Z和LG G5上都有使用,UFS2.0无疑。
(4)
其他扩展阅读:
a)三星S8和S8+的闪存
Ifixit对三星S8+的拆解:Samsung Galaxy S8+ Teardown
媒体解读(我找的是源文献,网上很多媒体转载):Galaxy S8 / S8+ 拆解:採用不同款快閃記憶體
里面是这么写的:
“ 值得一提的是,这次 iFixit 拆解的 S8,使用的是东芝的‘THGBF7G9L4LBATR’快闪记忆卡,并采用的 UFS 2.0 标准;然而 S8+ 却使用 UFS 2.1 的‘THGAF4G9N4LBAIR’,比 UFS 2.0 快了大约 50%。尽管三星在规格上没有多提这件事,但如果很在意记忆卡速度,可能还是选购 S8+ 较佳。” 注意到芯片型号了么?
b)Mate9的RAM
RAM是LPDDR4应该没有问题的,LPDDR3和LPDDR4的引脚和协议都不一样,麒麟960应该确实只支持LPDDR4,不用拆机。
目前看到的所有拆机图中的RAM有三星的K3RG2G2(K3RG2G20xx-MGCJ)、海力士(SK Hynix)的H9HKNNNCTUMUBR、美光(Micron)的MT53B512M64D4TX-053W,都是4G的LPDDR4。
以上。 |
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