怎么看待英特尔的3D Xpoint储存器技术?

会员1138285

请科普一下此物。 离现实有多远。 http://m.uczzd.cn/webapp/webview/article/news.html?aid=17461936674169339926&cid=100&zzd_from=uc-iflow&uc_param_str=dndseiwifrvesvntgi&recoid=712659790981299160&readId=27a4803cc6ed4be454438eb0979bbed2&rd_type=reco&pagetype=share

会员1138260

一句话总结，3D Xpoint是可堆叠(stackable)，无晶体管(without transistor)的非易失性存储(non volatile）。看起来很美的各种NVM，尤其是PCM，学术界火了这么几年都没能在工业界有什么实质性的实现和推进，3D Xpoint无疑是相当振奋人心的。NVM，大容量内存，flashc。。。这几年火的点都被3D Xpoint覆盖到了。按intel的说法，3D Xpoint可能是1989年NAND Flash诞生以来的最大突破了，但实现材料和技术细节不得而知(有人推测是RRAM，也有人认为是PCM，Computerworld 声称被告知确定不是RRAM)。也只能就放出来的性能数据（都在最后图里）说话了：

(1)速度：比NAND快1000倍。
至于intel－micron拿什么做baseline以及怎么做的比较也同样不得而知(不给baseline的normalize都是耍流氓^_^)，这里拿当前主流数据对比感受下。PCIe NAND 读大概100微秒，写20微秒左右，快1000倍的话读速度就是100纳秒，而现在DRAM的读写大概50纳秒，所以读速度还是赶不上DRAM(当然，比PCM等NVM已经好太多了)；并且声称的快1000倍感觉不可能或者短时间内很难达到，能达到MLC PCM的250纳秒(注：常用论文参数)读速度就不错了。如果真的就是3D PCM的话，那几百纳秒的写速度也相当惊人了(也不排除是使用RAM作buffer的惯用伎俩达到)，毕竟PCM的slow write是个大问题。
结论：访问速度比NAND快很多，但比DRAM还差不少，很难全面取代DRAM。

找到下面这张图基本能表达我的意思，就是速度比NAND快很多，但会比DRAM慢不少：

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(2)密度：比DRAM高8-10倍
原因主要在于stackable和无晶体管，所以同样面积可以放更多的cell；根据JEDEC最新的DDR4标准，一个DRAM chip/die容量是2-16Gb(三星目前有4Gb的), 而intel给出的一个3D Xpoint die是 128Gb，感觉密度8-10倍于DRAM应该靠谱，但高密度的诱惑力可能不是很大，毕竟DRAM也可以stack而且也才刚刚开始；另，注意NAND一个cell可以容纳2-3bit而3D Xpoint只能一个bit，估计density会错很远，NAND chip/die 容量可以几十倍乃至百倍于DRAM(micron目前有2Tb的)，3D Xpoint怕是望尘莫及。想到去年Sandisk出的ULLtraDIMM，使用DRAM接口的SSD，容量200-400G并可以线性增长，3D Xpoint很大程度上拿容量换取了速度(当然，两者实现介质完全不同)。
结论：密度比DRAM高不少，但比NAND差一大截。

(3)寿命：endurance比NAND长1000倍。
Flash一般写次数是10^4-10^6，如果与目前TLC的10^3来比的话就是10^6，而一般认为PCM可以被写10^7(正好是Flash 10^4的1000倍，如果是PCM实现的这个真就不值一提了)，所以这样比下来endurance可能并不是那么惊人。当然作为易失性存储，DRAM理论上寿命无限，但周期性刷新耗电又影响性能。

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总体感觉就是性能数据给的相当高明(狡猾)啊，不过总体也无疑是比较大的突破了。
小结，相比DRAM，3D Xpoint的优势主要是非易失，低功耗，高密度；相比NAND，快读写，长寿命。至于取代DRAM或NAND，怕是任重道远，不过很明显intel-micron也没打算，至少没打算马上，取代，而是建议和NAND及RAM同时使用(有可能作为DRAM和NAND之间的新增层级)。初始阶段，3D Xpoint会通过PCIe挂载，未来会通过新的主板离CPU更近以更好发挥性能。主要应用场景自然是手机(容量及能耗)，游戏(容量)和数据中心(容量，速度，寿命)了，但用起来估计要一段时间。

UPDATE: 10月初MEMSYS会议上美光的keynote有提到3d-XPoint，以下图片均截取自keynote。
(1) 各项参数与DRAM和NAND的对比，latency靠近DRAM，寿命比NAND好，价格介于DRAM和NAND之间；密度没有涉及，但从价格和上面的推算基本可以确定密度比NAND差，不然也没NAND什么事儿了。

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(2) 地位：DRAM和Flash之间的新层级，接口为PCIe或DDR。(2) 地位：DRAM和Flash之间的新层级，接口为PCIe或DDR。

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(3) 开发计划：DRAM，NAND，3D－XPoint共存。(3) 开发计划：DRAM，NAND，3D－XPoint共存。

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会员1138284

其实我最关注的是这货的性价比：如果能达到机械硬盘的性价比的话，硬盘产业就会被他毁灭。

会员1138270

速度、密度、可靠性之类的 @cinwell 已经说了很多了
我补充一下昨天参加Intel西北地区高性能计算研讨会上的东西吧
现在的新闻看，英特尔是在米国犹他州的工厂用20nm的工艺生成，而美光应该是在星加坡生产。
预计成本是4美元/GB，首批应该是16GB每块
首批交货时间应该是在明年2~3月份，非常期待的产品~

会员1138315

很近，这样的内存条明年就有得卖。这东西价格和性能都处于DRAM和NAND之间。很可能就是个3D PCM。应用可以参考intel的pmfs。

会员1138310

据说是3D PRAM

会员1139870

:):):)很近，这样的内存条明年就有得卖。这东西价格和性能都处于DRAM和NAND之间。