为什么大短路以后会连带隔离管一起击穿？

会员723781

问个小白问题，想了好久想不通。
如题，为什么大短路以后会连带隔离管一起击穿？

会员1528384

朋友，你这个问题要写论文的我也是小白，我尝试用我小白的知识回答你。跳过分子学原子学，半导体器件是利用控制电子和空穴的移动来工作的，就是把半导体创造p半导体；n半导体和pn结，一边是电子一边是空穴，电子走到空穴就观测到电流可以讲 产生电流。设计器件也有工作在击穿状态的，击穿有热击穿；电击穿；光击穿；齐纳击穿；雪崩击穿。小白的知识大体的理解为流过器件的电流大于设计阈值，就是电子密集量超过PN结的耐压，使得PN节损坏，接着PN半导体也过耐，一同损坏出现完全短路或开路。电路中是配对mos管一个损坏，那电流就大于阈值，所以也能造成另一个出问题。

会员723781

朱泉金 发表于 2024-12-11 16:56
朋友，你这个问题要写论文的我也是小白，我尝试用我小白的知识回答你。跳过分子学原子学，半导体器件是 ...

兄弟你是清华还是北大毕业的博士生？怎么你说的我是不明觉厉

会员244660

朱泉金 发表于 2024-12-11 16:56
朋友，你这个问题要写论文的我也是小白，我尝试用我小白的知识回答你。跳过分子学原子学，半导体器件是 ...

是里面那个二极管过流击穿了，不是PN节击穿，为啥不是PN节击穿，因为烧的都是第一个管子，