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发表于 2012-8-4 10:57:42
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来自: 广东东莞 来自 广东东莞
常 见 SDRAM 编 号 识 别
一、 在选购SDRAM内存条时,首先要明白内存芯片编号的含义,在其编号中包括以下几个内容:厂商名称(代号)、容量、类型、工作速度等,有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较,就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。
1) 世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下:
▲ HY HYUNDAI ¬¬------- 现代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西门子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 东芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 胜创
1)内存芯片速度编号解释如下:
★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns.
★ –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns.
★ –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns.
★ –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns.
3) 编 号 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示带宽。
f表示界面,0—LVTTL; 1—SSTL(3); 2—SSTL_2.
g表示版本号,B—第三代。
h表示电源功耗, L—低功耗; 空白—普通型。
ii表示封装形式, TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度,7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例:1) HY57V651620B TC-75
按照解释该内存条应为:SDRAM, 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解释该内存条应为:SDRAM, 3.3V, 64M, 143MHZ.
5、 IDE 顶 视 图(注:DD为数据线)
引脚 IDE信号 引脚 IDE信号
1 Reset 2 GND
3 DD7 4 DD8
5 DD6 6 DD9
7 DD5 8 DD10
9 DD4 10 DD11
11 DD3 12 DD12
13 DD2 14 DD13
15 DD1 16 DD14
17 DD0 18 DD15
19 GND 20 KEY(空脚)
21 DMARQ 22 GND
23 DIOW 24 GND
25 DIOR 26 GND
27 IORDY 28 ALE 允许
29 DMACK 30 GND
31 INTRQ 32 IOCS16
33 DA1 34 PDIAG
35 DA0 36 DA2
37 CSO 38 CSI
39 DASP 40 GND
6、 FDD 顶 视 图
引脚 信号 引脚 信号
1 GND 2 Redaced write(0)
3 保留 4 Head load(I)
5 GND 6 FDHDIN
7 GND 8 Index(0)
9 GND 10 Motor enadle 1(I)
11 GND 12 Drive select0(I)
13 GND 14 Drive select1(I)
15 GND 16 Motor enadle0(I)
17 GND 18 Driect select(I)
19 GND 20 Step(I)
21 GND 22 Write data(I)
23 GND 24 Write enable(I)
25 GND 26 Track0(0)
27 GND 28 Write protect(0)
29 GND 30 Read data(0)
31 GND 32 Head select(I)
33 GND 34 Disk change(0)
注:“0”表示来源于驱动器的信号。
“I”表示来源于接口控制器的信号。
七、 B I O S
1、BIOS : 基本输入输出系统(属软件)
2、BIOS与CMOS的区别:
CMOS是互补金属氧化物半导体的缩写,具有低功能耗持性,计算机的BIOS就是存储在由它所制成的ROM或EEPROM,所以CMOS是纯粹的硬件。
把写入了BIOS程序的CMOS存储器统称为BIOS。
3、
Mask Rom 掩膜性、不能修改。
Prom 可编程Rom
ROM
Eprom 紫外线
可擦除Prom EEProm 电可改写(12V写,5V读)
Flash Rom 快闪速存储器
4、 Firmare 固件
它是一种软件代名词,是一种固化在集成电路内部的源程序代码,而集成电路的功能是由这些程序决定的。因此我们通常所说的BIOS正是固化了系统主板的Firmare的Rom芯片。
现在BIOS都采用AWORD、AMI、PHOENIX三家公司的FIRMARE。
5、 BIOS芯片厂家:
Winbond、SST、InteL、ASD、Mxic、Atomel
6、 Flash Rom系列:
28系列:双电压设计,读时为5V,写入时为12V。
29系列:单电压设计,读写为5V。
39系列:单电压设计,SF读为5V,VF读为3.3V。
49系列:单电压设计,读写为3.3V。
7、 容量标识:
例: W 29F O2O
华邦、29系列、2Mbit(容量)/8=256KB
SST 39SF 021
厂家、39系列为5V、2Mbit/8=256KB
8、 Rom Bios的工作进程:
系统建立
加电自检(POST)初始化 扩展初始化
磁盘自举
硬件中断处理程序 硬件中断
服务程序 程序服务请求
9、 Rom Bios中存放的程序
1) 有加电自测式程序(POST)
2) 系统自举装入程序(起引导作用)
3) CMOS设置程序
4) 主要的I/O设备I/O驱动程序及底层的中断服务程序。
10、 BIOS ROM的封装形式:
1) DIP双列直插 2)SMD表面焊接 3)PLCC为四方形
11、 BIOS引脚定义:
5V
VCC PGW NC A14 A13 A8 A9 A11 OE# A10 CS# D7 D6 D5 D4 D3
● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ●
32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ●
VPP5V/12V A16 A15 A12 A17 A16 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND
注:南北桥式:
DIP双列直插、 SMD焊接、 PLCC四方形直插
高速中心架构:
SMD焊接、PLCC四方形直插
相当于地址
VCC CLK FGP IC GND VCC GND VCC INIT FWH RFU RFU RFU RFU RFU DATA
● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ●
● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ●
3.3V RESET FGP FGP FGP FGP WP# TBC# GND GND GND GND DATA DATA DATA GND
可编程控制信号 写允许 数据总线
注:“高速中心架构”四方形图与此图定义完全一样。
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