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Ram Stress Test

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发表于 2011-7-25 12:12:54 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式 来自: 广东惠州 来自 广东惠州

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Ram Stress Test是美国Ultra-X公司旗下的一个专业记忆体测试程式,是专门给系统生产厂商出机前用的测试程式,他其实是从其他的产品独立出来的一项测试,该公司专作系统测试的软硬体,方便生产厂商将产品做详细测试,至于R.S.T.在目前记忆体生产业使用非常普遍,因为经过他的测试几乎就能应付大部分的记忆体问题,所以是非常好用的一个测试工具!!

  使用非常简易,只要设定为软碟开机就行了,他是一个独立开发的系统,没有依附任何作业系统,相容于x86系列,只要BIOS认的到的容量他都能测!!

   若出现 ATS 选项错误,可在BIOS中,将记忆体(内存)选项设成Auto时,记忆体的CL=2,改成Manual,自设CL=2.5时,上述选项才能通过。
  

操作方法: 

    程序执行后,第一选项是测试物理内存中基本内存地址(<640K),第二项是扩展内存地址,第三项是测试你CPU的L2 cache。

☆ 可以测试SD及DDR内存。

☆ 闪动数字——0123456789ABCDEF0123456789ABCDEF 0123456789ABCDEF0123456789ABCDEF

依次代表内存条的8颗颗粒。

从左到右横着数:0-7代表第1颗粒区域、8-F代表第2颗粒、0-7代表第3颗粒、8-F代表第4颗粒、0-7代表第5颗粒代、8-F代表第6颗粒、0-7代表第7颗粒、8-F代表第8颗粒vmavzk

☆ 点不亮内存的测试方法——很多内存短路或者颗粒损坏后都不能点亮,点不亮的可以用一根好的内存去带动它(可解决部分点不亮问题)。必须SD的带SD的,DDR的带DDR的。本软件会自动跳过好的去检测坏的那根。


⒈DDR 8位与16位的单面测法:

⑴. 0-7(1 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第1颗粒已经损坏

⑵. 8-F(2 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第2颗粒已经损坏

⑶. 0-7(3 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第3颗粒已经损坏

⑷. 8-F(4 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第4颗粒已经损坏

⑸. 0-7(5 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第5颗粒已经损坏

⑹. 8-F(6 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第6颗粒已经损坏

⑺. 0-7(7 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第7颗粒已经损坏

⑻. 8-F(8 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第8颗粒已经损坏

注意DR的颗粒排列循序是1-2-3-4-5-6-7-8

⒉如果你是128M的双面DDR内存,如以上显示界面图:

1-16M ------------------------------------------------------------------------------------------------------------

16-32M -------------------------------------------------------------------------------------------------------

32-48M ------------------------------------------------------------------------------------------------------------

48-64M-------------------------------------------------------------------------------------------------------------

从1M到64M的上面的4根虚线上出现乱码的话,说明这根内存的的第一面的颗粒有问题(判断哪个颗粒的好坏按照以上的说明)

64-80M -----------------------------------------------------------------------------------------------------------

80-96M -------------------------------------------------------------------------------------------------------

96-112M------------------------------------------------------------------------------------------------------------

112-128M----------------------------------------------------------------------------------------------------------

从64M到128M的上面的4根虚线上出现乱码的话,说明这根内存的的第二面的颗粒有问题(判断哪个颗粒的好坏按照以上的说明)

注意:在内存的PCB板上的两边标着1与92的代表第一面,93与184的代表第二面。1-128M的8根虚线是用来区分两面区域的作用.

⒊SD的8位与16位的单面测法:

⑴. 0-7(1)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第8颗粒已经损坏

⑵. 8-F(2)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第4颗粒已经损坏

⑶. 0-7(3)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第7颗粒已经损坏

⑷. 8-F(4)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第3颗粒已经损坏

⑸. 0-7(5)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第6颗粒已经损坏

⑹. 8-F(6)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第2颗粒已经损坏

⑺. 0-7(7)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第5颗粒已经损坏

⑻. 8-F(8)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第1颗粒已经损坏

(注: PCB板上从1到84为第一面,颗粒的排列顺序从1到84为8-7-6-5-4-3-2-1,切记注意)

4.通过以上的介绍,说明SD的双面是跟DDR的是一样的。但是颗粒的好坏判断要按照它们的排列循序来判断。

5.PCB板的短路或者虚焊的测法:如果在8根虚线上都出现乱码,说明这根内存的PCB板有问题。




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发表于 2013-4-16 19:00:11 | 只看该作者 来自: 江西 来自 江西
楼主能不能来图标明,这样看得人一头雾水!

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