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技术问,mosfet替换,高参数替换低参数

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1#
发表于 2022-2-5 12:21:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式 来自: 浙江宁波 来自 浙江宁波

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手头有几张显卡,都是2个MDU1511作为下管,1个MDU1514作为上管。
技术手册图如下,1511比1514参数更加优秀。
如果我要补上管1514,能否用参数更好的1511代替??
手头无1514,买的话要节后,1511蛮多。
谢谢大佬们!!





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发表于 2022-2-6 20:07:59 | 只看该作者 来自: 安徽合肥 来自 安徽合肥
考虑过这个问题没有?

主控IC有个灾难模式(有些IC的PDF里有注释,有些只有超压和超流说明),当上行MOS击穿时,IC会控制下行管和其它相试图稳定电压。

说白了就是其余的下行管一起拉这只击穿的上行管的电流。可如果上行管的参数过高,电流过大,在那瞬间,没等电压电流拉下来,核心显存先挂了。

所以每一相的上下行管在设计时要考虑到负载总功耗需要的电流数,分摊到每一相,再计算出上下行管的参数。

所以建议还是原值代换比较稳妥!

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我才疏学浅,学习了,听你的!!谢谢你!!!  详情 回复 发表于 2022-2-7 16:04
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发表于 2022-2-6 07:41:25 来自迅维网APP | 只看该作者 来自: 美国 来自 美国
可以代换,你这个叫降额设计

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发表于 2022-2-5 23:10:34 | 只看该作者 来自: 中国 来自 中国
应该可以吧   可以试一试

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发表于 2022-2-5 15:58:53 | 只看该作者 来自: 中国 来自 中国
没问题,试试就知道,原板比X宝上面的假货参数好多了。

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发表于 2022-2-5 15:46:37 | 只看该作者 来自: 中国 来自 中国
可以的,实践出真知,只要参数比原来大,完全没问题!

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发表于 2022-2-7 23:31:48 | 只看该作者 来自: 广西贵港 来自 广西贵港
不建议把下管当上管用。下管总是选用电流更大、导通电阻更小的,上管却不是这样选择的。MOS管还得看动态特性的,就是pdf里的Dynamic Characteristics,上管的电容Ciss总是选择比下管小很多的。

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发表于 2022-2-6 18:46:02 来自迅维网APP | 只看该作者 来自: 重庆永川区 来自 重庆永川区
只能高换低不能低换高,

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发表于 2022-2-6 16:24:07 来自迅维网APP | 只看该作者 来自: 陕西渭南 来自 陕西渭南
理论上是完全没问题的

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发表于 2022-2-6 16:17:30 | 只看该作者 来自: 福建 来自 福建
用1511代换完全没有问题的,从手册上来看1511的所有性能都优于或等于1514,所以可以代换

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所有性能都优于?这就不对了。动态特性Dynamic Characteristics比如Ciss就是1514更小(越小越好)  发表于 2022-2-7 23:34
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发表于 2022-2-5 14:00:37 | 只看该作者 来自: 浙江宁波 来自 浙江宁波
自顶!求求回复呀!

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7#
发表于 2022-2-6 14:17:51 来自迅维网APP | 只看该作者 来自: 内蒙古 来自 内蒙古
路过学习一下

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12#
发表于 2022-2-7 00:23:37 来自迅维网APP | 只看该作者 来自: 安徽 来自 安徽
路过学习一下上下管的设计原理

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13#
发表于 2022-2-7 03:51:11 来自迅维网APP | 只看该作者 来自: 上海 来自 上海
月夜宁静 发表于 2022-02-06 20:07
考虑过这个问题没有?

主控IC有个灾难模式(有些IC的PDF里有注释,有些只有超压和超流说明),当上行MOS击穿时,IC会控制下行管和其它相试图稳定电压。

说白了就是其余的下行管一起拉这只击穿的上行管的电流。可如果上行管的参数过高,电流过大,在那瞬间,没等电压电流拉下来,核心显存先挂了。

所以每一相的上下行管在设计时要考虑到负载总功耗需要的电流数,分摊到每一相,再计算出上下行管的参数。

所以建议还是原值代换比较稳妥!

每一项差别不能太大,不然高低负荷交替下对于12v+波动太大,反而造成其他低性能mos管电压波动,从而造成你换的高性能的mos被动波动,而造成击穿。
按电气性能来说,可以替换第一组和最后一组的上管mos,而不要替换当中pwm项上下管的mos和所有下管mos

点评

能否解释下这一句“按电气性能来说,可以替换第一组和最后一组的上管mos,而不要替换当中pwm项上下管的mos和所有下管mos”,请指教,谢谢您  详情 回复 发表于 2022-2-7 16:06
谢谢您!学习了!!!  详情 回复 发表于 2022-2-7 16:05
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14#
发表于 2022-2-7 09:18:43 来自迅维网APP | 只看该作者 来自: 黑龙江牡丹江 来自 黑龙江牡丹江
一般频率,耐压,和最大ID电流差不多,就可以代换试一下,个别下管注意一下RDSON

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15#
发表于 2022-2-7 16:04:42 | 只看该作者 来自: 浙江宁波 来自 浙江宁波
月夜宁静 发表于 2022-2-6 20:07
考虑过这个问题没有?

主控IC有个灾难模式(有些IC的PDF里有注释,有些只有超压和超流说明),当上行MOS ...

我才疏学浅,学习了,听你的!!谢谢你!!!

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16#
发表于 2022-2-7 16:05:27 | 只看该作者 来自: 浙江宁波 来自 浙江宁波
AZASR半月 发表于 2022-2-7 03:51
每一项差别不能太大,不然高低负荷交替下对于12v+波动太大,反而造成其他低性能mos管电压波动,从而造成 ...

谢谢您!学习了!!!

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17#
发表于 2022-2-7 16:06:23 | 只看该作者 来自: 浙江宁波 来自 浙江宁波
AZASR半月 发表于 2022-2-7 03:51
每一项差别不能太大,不然高低负荷交替下对于12v+波动太大,反而造成其他低性能mos管电压波动,从而造成 ...

能否解释下这一句“按电气性能来说,可以替换第一组和最后一组的上管mos,而不要替换当中pwm项上下管的mos和所有下管mos”,请指教,谢谢您

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19#
发表于 2022-2-8 00:05:44 来自迅维网APP | 只看该作者 来自: 上海 来自 上海
胡大帅比 发表于 2022-02-07 16:06
能否解释下这一句“按电气性能来说,可以替换第一组和最后一组的上管mos,而不要替换当中pwm项上下管的mos和所有下管mos”,请指教,谢谢您

前面不是说了吗,高低负荷交替,各项pwm的开启,和pwm频率升降,会造成mos12+供电的波动,以及mos不同型号之间造成的内阻大小,电流是会往低的地方跑的

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20#
发表于 2022-2-8 00:30:04 | 只看该作者 来自: 福建 来自 福建
Carillon 发表于 2022-2-6 16:17
用1511代换完全没有问题的,从手册上来看1511的所有性能都优于或等于1514,所以可以代换

受教了,刚开始只注意到了极限参数;1514的动态特性确实是更好的,我又看了下手册中的测试条件是1MHz,而开关电源通常的工作频率一般都在几百KHz,所以我想一般情况下的代用应该没啥问题,当然为了严谨起见还是用同型号的元件较好。

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