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韩国三星(SAMSUNG):
2008-1-19 20:33 上传
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韩国三星(SAMSUNG)DDR2内存芯片
以三星K4T1G084QA-ZCE6为例,K代表内存芯片,4代表DRAM,T代表DDR2内存,1G代表容量(51代表512MB),08代表位宽,4代表逻辑Bank数量,Q代表1.8V工作电压,A代表产品版本号,Z代表封装类型为FBGA-LF(G为FBGA,S为小尺寸FBGA),C代表普通能耗(L为低能耗),E6代表运行速度为DDR2-667•CL=5(D6为DDR2-667•CL=4,F7为DDR2-800•CL=6,E7为DDR2-800•CL=5)。
韩国海力士/现代(Hynix):
2008-1-19 20:33 上传
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韩国海力士/现代(Hynix)DDR2内存芯片
以现代HY5PS12821E FP-Y5为例,HY代表现代,5P代表DDR2内存,S代表1.8V工作电压,12代表芯片容量为512Mb(56为256Mb,1G为1Gb),8代表位宽,2代表逻辑Bank数量,1代表接口类型为SSTL_2,E代表版本号,F代表封装类型为FBGA,P代表无铅,Y5代表速度为DDR2-667•CL=5(S6为DDR2-800•CL=6,S5为DDR2-800•CL=5,Y4为DDR2-667•CL=4)。
日本尔必达(ELPIDA):
2008-1-19 20:33 上传
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日本尔必达(ELPIDA)DDR2内存芯片
以尔必达E2508AB-GE-E为例,E代表DDR2内存,25代表芯片容量为256Mb(51为512Mb,11为1Gb),08代表位宽,A代表1.8V工作电压,B代表内核版本,GE代表DDR2-800•CL=5(6C代表DDR2-667•CL=4,6E代表DDR2-667•CL=5),E代表无铅。
德国奇梦达(Qimonda):
2008-1-19 20:33 上传
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德国奇梦达(Qimonda)DDR2内存芯片
奇梦达就是原来的英飞凌,以奇梦达HYB18T512800AF37为例,HYB代表奇梦达,18代表工作电压为1.8V(25为2.5V),T代表DDR2内存,512代表芯片容量为512Mb(1G为1Gb,256为256Mb),80代表位宽,0代表产品系列,A代表版本号,F代表FBGA封装,37运行频率为DDR2-533(3为DDR2-667)。
美国镁光(Micron): (美国的镁光Micron做重点介绍,因本人自己比较喜欢用金士顿的内存,镁光也是金士顿内存颗粒之一,超频性能出众,喜爱电脑超频的朋友大都会用这个颗粒的内存,对超频提升帮助很大.由于金士顿的颗粒来源比较光,只列举了几种,还望大家谅解)
2008-1-19 20:33 上传
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美国镁光(Micron)DDR2内存芯片
镁光DDR2内存芯片编号非常特别,封装上的编码并不是正规编号,而是一个特定编码,即使在官方网站上也不容易查到详细信息,因此也无法概括出其具体含义。
为大家介绍一下Micron(镁光)芯片的编号规则,希望能对大家有所帮助。
2008-1-19 20:33 上传
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镁光D9HNL芯片特写
Micron DDR2内存颗粒主要分为早期的大D9(Fat D9)系列和现在的小D9系列。大D9采用的是110nm的工艺,芯片尺寸看起来偏胖。大D9芯片的独到之处并不在于它可以提升到很高的频率,更重要的是它在高频率下的超低延迟参数。随着Micron转换了生产工艺,大D9颗粒早已经停产,取代它的是小D9芯片,比起大D9制造成本更低,超频能力也是非常强悍。
2008-1-19 20:33 上传
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镁光D9GMH芯片特写
Micron(镁光)小D9芯片系列中当属D9GKX、D9GMH和D9GCT最好超,继承了大D9的在高电压下的高频率以及低时序的传统特性。其中又以D9GKX和D9GMH比较出众,默认电压超频D9GKX小幅领先,但是D9GMH可以工作在2.6V甚至2.8V的电压下。
2008-1-19 20:33 上传
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镁光6ND22 D9GMH芯片
镁光DDR2内存芯片编号非常特别,封装上的编码并不是正规编号,而是一个特定编码,即使在官方网站上也不容易查到详细信息,因此查询起来非常费劲。以6ND22 D9GMH芯片为例,6ND22中的“6”代表06年生产,“N”代表一年中的奇数周(M则代表偶数周)。D9GMH是镁光早期DDR2-667芯片,当然由于镁光颗粒超频性能非常好,经常被模组厂拿来超频后当DDR2-800/ DDR2-1066卖。
2008-1-19 20:33 上传
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主流内存颗粒规格表
镁光D9HNL也是DDR2-667型号,不过颗粒采用70nm工艺,适合做单条2GB规格,但超频性能不如D9GMH。镁光D9GKX是默认DDR2-800频率的型号,CL延迟参数为5-5-5。
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