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标题: 大功率白光LED结构与特性（转载） [打印本页]

作者: charting 时间: 2014-7-11 11:56
标题: 大功率白光LED结构与特性（转载）
本帖最后由 charting 于 2014-7-11 12:00 编辑

大功率白光LED结构与特性
大功率白光LED的结构特点
从消耗功率来讲，通常把毫瓦级LED称为小功率.把瓦级LED称为大功率。目前通常
所见的大功率LED分为单芯片大尺寸和多芯片小尺寸组合两种，如图2-29所示。大功率
比D应用中的4个技术指标是:光强分布、色温分布、热阻及显色性。
①掌握瓦级大功率LED的光强分布图
②大功率LED的色温分布是否均匀，是正确使用大功率LED所必需的。将直接影响照明效果;而且色温与显色指数是互相关联的，色温的改变会引起显色指数的变化。
③大功率LED的热阻直接影响LED器件的散热。热阻低，散热越好;热阻高则散热差，器件温升高会影响光的波长漂移。根据经验，温度升高一度，光波长要漂移0.2一0. 3 run，这样会直接影响器件的发光质量a温升过高也直接影响瓦级大功率LED的使用寿命。
④显色性是白光LED的重要指标，用于照明的白光LED的显色性必须在80以上。由于大功率白光LEI)制造工艺、器件设计、组装技术三方面的进展，LED发光性能一直在提高.其成本一直在降低。PN结设计、再辐射磷光体和透镜结构都有助于提高效率，因此也有助于提高可获得的光输出。
目前多数的封装方式已无法满足今天与未来的应用需求，对于大功率白光LED的封装
沪来说，一个主要的挑战来自于热处理课题。这是因为在高热下，晶格会产生振动，进而
喊结构上的改变，这将降低发光度.甚至令LED无法使用。
LED的外量子效率取决于外延材料的内量子效率和芯片的取光效率，由于大功率白光LED采用了MOCVD外延生长技术和多量子阱结构，并在精确控制生长和掺杂以及减少缺陷等方面取的突破性进展，其外延片的内量子效率已有很大提高，波长615nm的内量子效率已接近极限100%,由于半导体与封装的环氧树脂折射率相差较大，至使内部的全反射临界角很小，有源层产生的光只有小部分被取出，大部分在芯片内部经多次反射而被吸收，成为大功率白光LED芯片取光效率很低的根本原因。

作者: 12d12 时间: 2014-7-11 13:41
这个知道点就行了

作者: charting 时间: 2014-7-11 13:44

12d12 发表于 2014-7-11 13:41
这个知道点就行了

为何这么说呢？

作者: 12d12 时间: 2014-7-11 13:48
我是修里主板的

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