|
受到PC产业衰退以及DRAM大亏的影响，所以DDR4推动的速度极为缓慢，但在个人电脑逐渐恢复成长以及随着Intel Haswell-E的上市，记忆体方面也跟着进入新的里程碑，来到了DDR4的划时代领域。在世代交替的初期，大家都会试着探讨、了解到底新的DDR4拥有着怎样的魅力！？一起來看看吧！
其实最先送来测试的就是美光DDR4，后续才有再碰到其他款记忆体，例如海盜统治者DDR4-3200等，不过都是来匆匆去匆匆。今天测试的是单条Crucial 8G DDR4-2133，一并送来两条，刚好湊双通道。 先来看记忆体的演化进程。由DDR到DDR4，从DDR基本的2.5电压到DDR3的1.5V，中途也出过1.35V低电压版，到现在已经进化到DDR4的1.2V电压，根本已经对半折扣了。 但是记忆体时脈与容量却是反向的倍数成长；从DDR-266 128M，到Mick刚接触电脑的DDR2-400 256M，DDR3-1066，现在的DDR4-2133。其中DDR2到DDR3其间的周期也是拖得夠长才能有此表现，虽然DDR4跃上幅度并非史上最大，不过各厂3200MHz记忆体已经陆续出笼，相信再不久3333MHz以上也会逐渐上市的。 这张图更细部说明了DDR4的细部进展，首先是更低功耗的使用，对于移动性产品的耐久性更得到了保障，相同的温度上也进展到更低温的表现。再来，DDR4预期上看可达每秒2.1GHz的记忆体時脈，这是非常惊人的速度啊！因为已经是DDR3的翻倍了。 而现DDR4的单颗容量来到4Gb，未来可见DDR4单颗颗粒达達8Gb，上看单条则为16GB容量，看来Ramdisk 是越來越容易达成了，看来跟SSD的大跌价可能有间接关系XD！ 对于记忆体上的标签，将规格注明了单条为8GB 容量，DDR4-2133频率，额定电压1.2V。另一边则是2R X8颗粒(共16颗粒)，PC4-2133P-UBZ-10的频率规格。 
手边刚好有DDR3-1600 记忆体拿来做比较。金手指防呆位置明显不同外，金手指Pin胶密度也明显增加，DDR4 为288Pin，而本来的DDR3只有240Pin。 可以看到同样是2R X8颗粒，但DDR4的颗粒硬是大上一些，排列上也采4模组分区块，较DDR3的排列密度来得高。 两侧的防呆也略有不同，所以也扣不下去。DDR4的边角有稍做原润修边，据说是为了更好插拔而设计，而Mick在多次插拔测试下到是觉得还好啦！见仁见智囉！ 
目前也仅有X99平台能上DDR4囉！不过Mick 用的AIDA64 应该版本太旧，处理器方面沒办法完整列出规格。采用的是Haswell-E i7-5960X 八核处理器，未超频预设3.0GHz、FSB 100MHz、30倍频。记忆体方面FSB Ratio 32:3，时序为15-15-15-36 CR2。跑出来分数差强人意，但比上DDR3 已经有段差距，不晓得是不是Mick太严苛了！
记忆体正式进入DDR4 的时代，虽然目前还只有顶階家用平台X99才用得上，但是其记忆体的效能提升、降低的电压以及越趋增大的容量，相当适合行动运算的使用，显示其崭露头角的规模会是更全方位的，相信明年即将很快就能加速进入主流级产品的定位，当然届时若售价能再更亲民些，进度一定会更快些，你说是不是咧！ 架上目前已经铺货有多款规格，并且连同8GB 款也已经上架，若朋友们有期待其他规格的记忆体，也欢迎多给我们意见唷！^^
|
/1 
