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闪存品质和纠错算法 闪存能够擦写多少次，除了自身体质之外还与主控所用的纠错算法有着直接关系。在搭配强力纠错时，闪存就能用的更久一些。
现在LDPC纠错已经成为当代固态硬盘主控标配的特点，不过虽然都叫LDPC，具体实现算法却属于商业奥秘，谁也不会公开。各主控厂商也会尽可能地与闪存生产厂商加强合作，以取得更好的纠错和延寿效果。 垃圾回收算法与写放大 大家普遍关心固态硬盘"写入多少会挂掉"，实际上写入的数据量并不等同于闪存的实际磨损量。这其中有一个"写入放大率"的概念，指的是闪存实际写入量与电脑主机端请求写入量的比值。
显然写入放大率越高，闪存的磨损速度就越快，固态硬盘坏的就会更快一些。固态硬盘内的磨损均衡、垃圾回收算法都会影响写入放大率。
磨损均衡是为了让闪存内的各个储存单元能够尽可能保持一样的磨损程度，避免部分单元提前破坏而导致硬盘可用容量不够。垃圾回收则是闪存工作原理所致，必须要进行的一系列闪存内数据的辗转腾挪。垃圾固态硬盘容易掉速，就是因为在垃圾回收策略方面采取了比较懒惰的策略，虽然有助于降低写入放大率、提升硬盘可用的寿命，但却是以牺牲用户运用体验（掉速）为代价的。
我的硬盘写放大有多少？ 既然写放大对固态硬盘寿命影响如此之大，相信不少朋友会对自己固态硬盘的具体写放大数值比较感兴趣。写放大除了跟固态硬盘的硬件方案有关之外，还与用户运用习惯有很大的相关性：硬盘空间占用越满、随机写入操作越多，写入放大率也就越高。
计算写入放大率的第一步就是获得"闪存写入量"的数值，但并非所有固态硬盘都能提供这项具体指标。以ToshibaTR200为例，我们需要先借助phison_load_cfg_smart_s11这款工具解锁完整SMART信息。
解锁之后通过AIDA64查看ToshibaTR200的SMART信息，E9项Lifetime Writes to Flash展示的就是闪存写入量信息，而F1项Host Writes则是主机写入量信息，只要把E9的数值除以F1就可以得到写入放大率数值。
一般来说写入放大率是大于1的，闪存的实际磨损总是要比我们写入的数据更多。不过上图中可以看到，这块ToshibaTR200 240G固态硬盘的写入放大率只有0.63左右。这主要受到几个原因的影响：对于写入SLC缓存内的数据，在缓存释放之前就被删除的，不纳入闪存磨损，典型情况是AS SSD Benchmark跑分，测验数据刚写完就删除，数据只在SLC缓存内短暂停留，没有实际写入到BiCS闪存当中。
另外一个原因就是ToshibaTR200的主控具备数据实时压缩能力，被压缩后的数据体积缩小，对闪存的实际磨损也就会变得更小，变相地延长了固态硬盘的运用寿命。
写入放大率受到固态硬盘型号、运用方式和固件算法等多方面影响，确保Trim指令开启、尽量不要把硬盘用太满，是降低写放大、提升固态硬盘寿命的有效手段。 以上是几个影响SSD固态硬盘寿命的原因的介绍，相信大家都有了进一步的了解，为了延长SSD固态硬盘的使用寿命，以后使用要多加注意了哟！ |
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