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如今UFS 2.1闪存已经成为旗舰机的标配，不过考虑到人们对速度的极致追求，这一标准显然不够。近日，知名闪存厂商东芝宣布，全球首个符合UFS 3.0标准的闪存已经试产成功，未来东芝将推出128GB、256GB、512GB等规格的UFS 3.0闪存芯片，主要面向智能手机产品。
ToshibaUFS 3.0闪存 据东芝官方称，全新的UFS 3.0闪存芯片基于96层堆叠BiCS4 3D TLC闪存技术打造而成，芯片主控由Toshiba自主研究。得益于双通道的规划，这款闪存芯片的传输速度高达23.2Gbps，换算下来即2.9GB/s。东芝官方运用512GB版本实测后，UFS 3.0闪存的顺序读写速度分别提升了约70％、80％，这一速度已经将UFS 2.1远远甩在身后。 东芝表示，128GB版UFS 3.0闪存已经在近日开始出货，而256GB与512GB版本也将在3月之后推出，可见今年会有大批旗舰手机搭载UFS 3.0闪存，相信这些手机在读写速度上也会有大幅度的提升。 |
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