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芯片驱动越强越好吗？ 图 无论是硬件调试还是我们仿真，都会接触到芯片的驱动配置，像我们熟悉的DDR控制器，一般也会有很多种驱动的选择。例如34欧姆，40欧姆等内阻的驱动配置，又或者是fast/mid/slow driver的配置。其中前者主要是改变输出电平的幅度，内阻越低，输出电平越高；而后者主要体现在斜率方面，fast是输出高斜率的电平，也就是上升/下降沿会比较陡，而slow相对来说会比较缓。所以我们一般所说的驱动强就是指上面的两个方面或者至少其中一个方面。例如下面这个DDR控制器接50欧姆负载后的驱动输出波形如下：其中在fast斜率下不一样驱动内阻的不一样如下，更多的不一样是在电平上面。
芯片驱动越强越好吗？ 图
芯片驱动越强越好吗？ 图
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芯片驱动越强越好吗？ 图 如果我们固定斜率为fast，看看不一样驱动内阻的影响，眼图如下：
芯片驱动越强越好吗？ 图 至少我们从地址信号上看，的确不是上升沿越陡的输出波形质量越好，这是因为地址信号是一拖多的结果，存在多处的反射，而且反射比较复杂。如下图所示，如果我们关心这个颗粒的频域回损和插损的情况，你会发现反射在比较宽的频域都存在。
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