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三星方面宣告其将推出4层单元闪存，即QLC NAND芯片。现在容量最高的闪存单元是具有每单元容纳3 bits的TLC（三层单元）。然而由于QLC芯片所用材料较TLC而言，其读写速度更慢且运用寿命也更低，所以QLC芯片的制作难度也随之增大。
迄今为止，Toshiba公司与西部数据公司，Toshiba方面的代工合作伙伴已经开始运行配有768 Gbit容量的QLC芯片产品生产线。而如果该合资企业没有因为Toshiba方面出售其储存器业务而引发关系决裂，那么该芯片估计将于明年推出。 一位三星员工在接受Business Korea采访时表示：“尽管现在QLC NAND闪存尚未进入批量生产阶段，但公司内部已经开始着手进行这方面的准备工作了。” 此外，QLC NAND芯片将采用三星公司的V-NAND（3D NAND）技术，并且其晶片容量将可达到1 Tb（128 GB）。据了解，该芯片将会采用三星公司的第五代V-NAND技术，并且由于该技术的第四代为64层V-NAND，那么其第五代将可能达到96层。 在此之前，三星还曾谈到一款容量为128 TB的2.5英寸QLC SSD。另外，SK海力士也在准备推出QLC闪存芯片。 根据HIS Markit的统计报告显示，QLC闪存芯片估计应该于2018年第一季度推出，且其市场份额在2018年底之前将达到5.1%，2021年则可能达到30%。如果QLC定价显著低于TLC，那么其将开创适用于QLC的全新运用环境，具体包括高容量与快速访问近线闪存，低访问延迟归档或对象储存等。 |
