三星提出闪存新标准：体积更小容量更大

　　正在美国旧金山举办的2017闪存峰会（Flash Memory Summit 2017）上，三星推出了新一代V-NAND闪存颗粒，容量大幅提升，达到1Tb（1Terabit）。此外，三星还一同提出了NGSFF（Next Generation Small Form Factor）标准，取代M.2固态硬盘规格。

　　三星新一代V-NAND（垂直堆叠3D NAND）将此前最大的储存单晶粒512Gb容量直接翻倍，提升到1Tb，而且将用于消费级的产品，三星将要推出的2TB SSD产品会用上最新的V-NAND，用一颗芯片封装16个1Tb的Die，使得整个SSD产品的体积进一步缩小。

　　也正因为这个原因，新的产品大小将比传统M.2接口SSD中最小的2242（NGFF）的电路板规划更小，故而三星也提出新的NGSFF（Next Generation Small Form Factor）标准以适应需要。