一方面，2016年，中国半导体销售总额为11985.9亿元人民币，在全球半导体销售总额中占比超过一半。并且，到现在，全球前二十大半导体厂商都在中国设有技术和产品研究中心、生产基地等分支机构。而中国本土各家半导体厂商也正在积极融入到全球半导体产业中。另一方面，就全球范围而言，中国半导体产业总体竞争能力依旧不是太强。中国本土各家芯片制造厂商现有制程（工艺）技术，依旧是比国外同行中一些芯片制造厂商落后了2代左右。中国芯片规划产业产值在全球芯片规划产业总产值中占比还比较低。当然，中国本土也需要长大出更多中、大型IDM厂商（整合元件制造厂商）。
半个多月前，“2017年北京微电子国际研讨会”在北京经济技术开发区丰大国际酒店中举办。中芯国际CEO赵海军也亲临本场研讨会现场，并在研讨会上登台发表主旨演讲——《专注大生产技术》。
赵海军当众讲到：
第一，摩尔定律现在依然在全球半导体产业中发挥着积极作用。当7nm制程工艺成为整个芯片制造行业主流制程时，则EUV光刻机（极紫外光刻机）也将会被各家芯片制造厂商竞相争抢。“摩尔定律现在还在继续发展，EUV将在7nm形成主流，EUV变化非常大，很多环节都要重新开始，变化来得太快，28nm工艺如果到7nm，性能可以增长68%，如果巨大的增长，很多Foundry（晶圆代工厂商/芯片代工厂商）一定会去做”。一般地，一家芯片代工厂商，从某位客户那里获得一个芯片生产订单开始算起，就一定要在60天之内为这个客户生产完所有硅片，这些硅片再经过封装和测验等环节，大约又需要用时一个月。然而，如果这家芯片代工厂商采用EUV光刻技术为那位客户生产完所有芯片，所用生产时长会大大缩短。“EUV最大的优点是可以20多天出厂，而用其他工艺要80多天，做大生产必须要用到EUV”。
第二，中国一定要有一家以上大型芯片代工厂商，并在制程技术方面处在全球一流水准。能够和英特尔、台积电、三星、格罗方德等芯片制造厂商处于全球第一竞争阵营。中芯国际十分注重研究更先进制程及其相关技术，且至今积累有不少专利。“在先进FinFET技术节点一次性投入10亿美元的研究经费，并且分担到生产厂里面，把钱投入下一代的技术研究里面，这样才能够连续发展”。无论是现在，还是将来，中芯国际都会继续运用FinFET技术来为客户们生产各种芯片。苹果、三星、华为和小米等公司都可以成为全球半导体产业中一员。苹果、谷歌、亚马逊、百度和阿里巴巴等公司都具备开发终端和云端产品能力。全球一定会跨入到5G时代，中国物联网及其相关产业一定会大发展。这对中国各家半导体厂商而言，当是一大新市场机遇。 
平面型晶体管与 FinFET 架构对比 
FinFET 结构面临哪些关键工艺挑战 
未来晶体管结构可能采用新鳍材料或“全包覆栅极”规划 2017年9月25日，台湾《电子时报》也有报道：整个2017年，全球第一大光刻机设备厂商ASML（阿斯麦）只能生产出12台EUV光刻机，且这12台EUV光刻机其实早被台积电和三星等数家芯片制造厂商给预订完了。全球之所以唯有ASML能够生产出这些EUV光刻机，原因就在于每台EUV光刻机都是有着极高生产难度，每台EUV光刻机所需一些核心零组件也涉及到高难技术。即便每台EUV光刻机市价贵过1亿欧元，台积电和三星等芯片制造厂商也是抢着向ASML采购这些EUV光刻机。到现在为止，数家芯片制造厂商累计向ASML预订了27台EUV光刻机。
《电子时报》在报道中提到：台积电、三星和格罗方德等芯片制造厂商都相继宣告要在2018年投产7nm制程工艺，都需要运用到EUV光刻技术。 中芯国际等中国芯片制造厂商能不能按计划顺利进步到14nm及其以下制程工艺，ASML今后会在此进程中扮演起关键角色。另外，台积电、三星、格罗方德和联华电子（厦门联芯）都已把先进制程技术带进了中国，中芯国际现在所拥有最先进制程仅是28nm制程，中芯国际因此面临着不小同业竞争压力。比如，台积电南京工厂在2018年开始就投产16nm制程工艺。中芯国际2017年半年报数据显示：中芯国际计划在2017年资本开支为23亿美元，主要用来扩产北京和深圳工厂28nm制程产能，以及研究14nm FinFET制程工艺。
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