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安柏AT826 LCR 数字电桥原理解析篇

hcrt 2016-6-30 09:31


  1、主控CPU

  主控CPU使用的32位ARM-M0处理器,负责驱动TFT-LCD,同时使用2路12-bit ADC 对触摸屏进行采样并转换坐标,键盘扫描也直接由主控负责。CPU内部另外1路12-bit ADC负责对电池电量检测,负责电池充电管理。CPU的PWM负责调节LCD背光。

  
图1 数字电桥原理解析篇  

  这款ARM-M0 处理器有USB2.0接口,我们用来跟PC上位机建立通讯,在CPU内部有两套程序工作,一套为Applent Boot Loader(简称ABoot) 程序负责主程序引导,仪器上电,ABoot首先执行,如果没有检测到主程序或是接收到主程序更新指令,AT826白屏会进入更新程序阶段,此时通过启动计算机上的Applent ATOSv2Bootloader 程序来更新主程序。第二套程序就是主程序。

  2、CPLD

  依赖于CPLD的高速度(5ns),所有的逻辑电路、控制电路都是由CPLD处理,使用并行总线与CPU通信。

  正弦波发生器、0°/90°鉴相电路、AD之前都是由CPLD负责。

  3、阻抗原理

  数字电桥的目的就是获得阻抗值Zx,再通过理论公式得到L、C、或是R。

图2 数字电桥原理解析篇  

  AT826信号源施加到被测值Zx(L/C/R)上。对于阻抗测量,欧姆定律仍然适用。
  图上半部分两个运放获得电压信号VuH和VuL,进入后续仪表运放差分得到:
  Vu=VuH - VuL
  下半部分两个运放用来获得电流信号,电流信号通过量程电阻被转换为电压信号,用于鉴相PD和AD转换:
  Vi = ViH - ViL
  Ix = Vi/Rs
  最后,
  Zx = Vu/Ix= (Vu*Rs)/Vi

  AT826 鉴相器PD和积分型AD转换器

  顾名思义,鉴相器用来检出阻抗的相位。
  为了得到阻抗的实部R和虚部X,需要对电压信号Vu和电流信号Vi进行鉴相。鉴相器分别对Vu的0°和90°进行鉴相,并进入后续积分电路进行AD转换得到Vu的两个分量R1和X1:
  Vu = R1+jX1
  之后鉴相器又分别对Vi的0°和90°进行鉴相,并进入后续积分电路进行AD转换得到Vi的两个分量R2和X2:
  Vi= R2+jX2
  至此,在CPLD的协助下,主控CPU得到Vu和Vi的4个关键分量R1,X1,R2和X2,剩下的工作都由CPU来完成来得到Zx的实部R和虚部X。

  AT826如果将Vu,Vi的值计算出实际测量结果?

图3 数字电桥原理解析篇  

  为了获得实际测量结果,仪器会根据2套数学模型进行计算,串联和并联电路:

  纯电阻就是阻抗的实部R
  电容的容抗 Xc = 1/(2pi*fC)
  电感的感抗XL= 2pi*fL
  因此我们可以得到:
  串联时的电容 Cs = 1/(2pi*fX)
  并联时的电容 Cp = B / (2*pi*f)

  关于品质因数Q

  Q代表电抗纯度,及纯电抗程度,在没有电阻R的接近程度。电抗X代表存储能量,电阻R为损耗能量,因此Q = 存储能量/损耗能量 = X/R = B/G

  三角函数可以看出: Q = X/R = B/G = tanθ
  由此可以计算出 θ= arctan(X/R)
  Q一般用于电感器,X越大,Q值越大,其感抗越纯,品质越好,所有也叫做品质因数。
  但电容器用耗损因数,通常叫做损耗D,而不用Q值表示其品质。
  D= 1/Q = tanδ = R/X
  其容抗越大,损耗越小。

  ESR 串联等效电阻Equivalent Series Resistance

  顾名思义:就是在串联等效电路下的电阻,就是阻抗的实部R。

  ESR是电解电容器的重要参数,是一个储能元件自身的能量损耗。这个ESR在高频上表现的很突出,我们使用的计算机主板为什么选用固定电容器,非常重要的考量是其ESR非常小,在主板的高频下其自身发热量就非常小。早前没有固态电容时普通的铝电解电容器经常有爆裂的情况发生,就是因为其ESR过大,自身发热造成电容爆浆。

  因此电解电容器厂家都必须在高频下测量ESR,国家标准是在100kHz下进行测量,低频测量没有意义。

  EPR 并联等效电阻

  尽管AT826是可以测量并联等效电阻(即并联下的R值)。

  4、AT826 设计考量

  作为电池供电的LCR仪器,需要比台式仪器考虑更多,性能、电池电量、成本都要求考虑到。我们研发此仪器经过2年的研发周期,以便再找到最佳平衡点。

图4 数字电桥原理解析篇  

  手持仪器的使用群体是一般用户维修和检验的需要,而不是用于实验室和高要求的场合,这种场合实际上0.2%的准确度无法适应。

  5、关于Q值的问题

  之前有朋友一直对品质因数Q有误解,通过上述分析,我们知道Q=1/D对于电容器来评价Q值很不合理,电容的损耗D通常不大,CBB电容1kHz时通常在0.0010以下,低频则更小一些,假定一个电容的损耗在0.0005,由于仪器的分辨率限制,其显示的0.0005实际会在0.00045~0.00054四舍五入的结果,如果使用Q来评估的话,Q值会一直在2222~1851间跳动。更小的值Q值更大,跳动也会激烈一些。

  因为AT826只能显示5位,小数位倒数4位,倒数时Q值反映的是D的小数点第4位以后的情况,这个超出了仪器的测量能力,我们不对超范围的测量要求提供保障。我们的技术指标规定了0.2%的准确度,即D绝对值与实际值的绝对偏差在 -0.0020~+0.0020之间都认定为合格。

  6 、关于θ角的问题

  有人提出仪器测量电容的θ角超过了-90°。是的,理论上电容器的θ角永远是无限接近-90°,但任何仪器都不能能完全契合,一个采样低功耗低成本的手持仪器则更难实现。

  仪器的开路和短路校准、软件校正会或多或少引入误差,我们无法保证其完全准确,但首先必须能够达到技术指标。有人测量出某种电容的实际值为-89.99,而AT826测出θ = -90.01,计算一下这个值与实际值的相对偏差,我们来计算一下这个百分比偏差:(90.01-89.99)/89.99*100 = 0.02%

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引用 liaochongchun 2016-8-20 23:04
学习。学习。。。。。

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