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楼主: 三冠维修
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V星 870-C45没有CPU供电小修

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21#
发表于 2015-6-29 09:25:19 | 只看该作者 来自: 广东 来自 广东
楼主问一下:Q4是NPN的MOS管,那么vcore_EN过来应该Q4应该被拉低啊。

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Q4在这里应该是NPN类型三极管,属于高电平导通,低电平截止工作性质,VCORE EN信号在这里应该是属于Q114双N沟道MOS管G级开启信号,与Q4工作没有一点联系。  详情 回复 发表于 2015-6-29 10:49
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22#
发表于 2015-6-29 09:28:56 | 只看该作者 来自: 广东 来自 广东
哦,又看了一遍,Q4的B级为低电平是对的。Q1114的DS导通vcore_EN必须为低电平,这样才能分压,得出VCORE

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23#
发表于 2015-6-29 09:41:40 | 只看该作者 来自: 江苏苏州 来自 江苏苏州
已经给你加了五分了,希望以后多发这样的贴着,大家共同进步!!!!    徐良兄天天分析的很到位,就是没有发技术的贴子????

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别急,过几天我可能在电子单机片制作版块发布一篇技术帖子。  详情 回复 发表于 2015-6-29 10:52
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24#
发表于 2015-6-29 10:08:16 | 只看该作者 来自: 广东东莞 来自 广东东莞
档主高手,学习中

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25#
发表于 2015-6-29 10:49:17 | 只看该作者 来自: 浙江温州 来自 浙江温州
的风格的风格 发表于 2015-6-29 09:25
楼主问一下:Q4是NPN的MOS管,那么vcore_EN过来应该Q4应该被拉低啊。

Q4在这里应该是NPN类型三极管,属于高电平导通,低电平截止工作性质,VCORE EN信号在这里应该是属于Q114双N沟道MOS管G级开启信号,与Q4工作没有一点联系。

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26#
发表于 2015-6-29 10:52:23 | 只看该作者 来自: 浙江温州 来自 浙江温州
wangyangwmy 发表于 2015-6-29 09:41
已经给你加了五分了,希望以后多发这样的贴着,大家共同进步!!!!    徐良兄天天分析的很到位,就是没有 ...

别急,过几天我可能在电子单机片制作版块发布一篇技术帖子。

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27#
发表于 2015-6-29 10:57:58 | 只看该作者 来自: 广东 来自 广东
neco 发表于 2015-6-29 10:52
别急,过几天我可能在电子单机片制作版块发布一篇技术帖子。

期待着,看你回复的都很NB,不知道自己维修会什么样,别让弟弟我失望哦

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那是不会的,就是自己设计制作的笔记本抽风散热器。  详情 回复 发表于 2015-6-29 11:00
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28#
发表于 2015-6-29 11:00:21 | 只看该作者 来自: 浙江温州 来自 浙江温州
的风格的风格 发表于 2015-6-29 10:57
期待着,看你回复的都很NB,不知道自己维修会什么样,别让弟弟我失望哦

那是不会的,就是自己设计制作的笔记本抽风散热器。

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29#
发表于 2015-6-29 13:54:00 | 只看该作者 来自: 福建福州 来自 福建福州
图文并茂,思路清析,加分。

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30#
发表于 2015-6-29 20:20:33 | 只看该作者 来自: 贵州黔东南州凯里 来自 贵州黔东南州凯里
neco 发表于 2015-6-29 08:43
楼主最后换掉Q114双N沟道MOS管吗?这个主板故障应该是Q114本身击穿损坏,造成本身G2和S2引脚之间阻值由正常 ...

小哥:Q114 到底有什么作用啊。犯得着用双N? 单N 的就可以了,

点评

这里Q114内部双 N沟道MOS管工作关系应该是互相轮流截止和导通,即在主板待机时候,VCCR和VDDA2.5V电压没有产生,G1引脚为高电平状态,即D1引脚保持低电平状态,这时候Q114内部其中之一N沟道MOS管导通,同样ATX PWROK  详情 回复 发表于 2015-7-4 17:28
就是起到开关控制VCORE EN#信号工作高低电平状态作用,这里用双N沟道MOS管就是起到实现通过在CPU供电之前产生的内存和VDDA2.5V电压通过Q113截止和饱和导通状态对VCORE EN信号工作高低电平状态起到一定开关控制作用,  详情 回复 发表于 2015-6-29 22:09
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31#
发表于 2015-6-29 20:22:44 | 只看该作者 来自: 贵州黔东南州凯里 来自 贵州黔东南州凯里
neco 发表于 2015-6-29 08:43
楼主最后换掉Q114双N沟道MOS管吗?这个主板故障应该是Q114本身击穿损坏,造成本身G2和S2引脚之间阻值由正常 ...

我搞错了! 这里是按照时序, 先到 VDDA25出来 ,再开起 VCORE-EN#  ,

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32#
发表于 2015-6-29 22:09:04 | 只看该作者 来自: 浙江温州 来自 浙江温州
H55 发表于 2015-6-29 20:20
小哥:Q114 到底有什么作用啊。犯得着用双N? 单N 的就可以了,

就是起到开关控制VCORE EN#信号工作高低电平状态作用,这里用双N沟道MOS管就是起到实现通过在CPU供电之前产生的内存和VDDA2.5V电压通过Q113截止和饱和导通状态对VCORE EN信号工作高低电平状态起到一定开关控制作用,即VCORE EN信号同时也控制Q114 截止和饱和导通工作,如果用单N沟道MOS管的话,Q113双NPN型三极管B级控制电压VCC DDR和VDDA 2.5V将会失效,影响AMD芯片组系列主板正常上电时序运行。

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33#
发表于 2015-6-30 20:32:13 | 只看该作者 来自: 江苏连云港 来自 江苏连云港
分已加,修的很到位

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34#
发表于 2015-6-30 21:26:39 | 只看该作者 来自: 福建 来自 福建
有原理图基本可以顺藤摸瓜,一查一个准。

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35#
发表于 2015-6-30 22:57:31 | 只看该作者 来自: 中国 来自 中国
LZ VDD2.5一定要在假负载上猜测得到吗?

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不是说一定要在假负载上面测,你如果修的多了,什么板VDDA在那个位置,你自然而然就知道了,每个厂家都不太一样  详情 回复 发表于 2015-6-30 23:33
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36#
发表于 2015-6-30 23:13:50 | 只看该作者 来自: 广东韶关 来自 广东韶关
懂理论的师傅就是好  什么vcc  vdd什么的 到哪里去学到啊

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这还用我来告诉你么?迅维啊,没去迅维之前,白瞎了,不知冤枉了多少板子,有多少板子被修死了,有多少都是小问题,被搞残的  详情 回复 发表于 2015-6-30 23:35
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37#
发表于 2015-6-30 23:33:54 | 只看该作者 来自: 河南郑州 来自 河南郑州
koflcm 发表于 2015-6-30 22:57
LZ VDD2.5一定要在假负载上猜测得到吗?

不是说一定要在假负载上面测,你如果修的多了,什么板VDDA在那个位置,你自然而然就知道了,每个厂家都不太一样

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38#
发表于 2015-6-30 23:35:02 | 只看该作者 来自: 河南郑州 来自 河南郑州
lixinran550 发表于 2015-6-30 23:13
懂理论的师傅就是好  什么vcc  vdd什么的 到哪里去学到啊

这还用我来告诉你么?迅维啊,没去迅维之前,白瞎了,不知冤枉了多少板子,有多少板子被修死了,有多少都是小问题,被搞残的

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39#
发表于 2015-6-30 23:44:10 | 只看该作者 来自: 安徽
分析的到位 最后是换了q114吗?

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是换的Q114,觉的不错,就加分吧,如果没有料件可以拆掉Q4或Q4 B级相连的电阻也可以  详情 回复 发表于 2015-6-30 23:51
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40#
发表于 2015-6-30 23:51:12 | 只看该作者 来自: 河南郑州 来自 河南郑州
ゞ..侃.妳. 发表于 2015-6-30 23:44
分析的到位 最后是换了q114吗?

是换的Q114,觉的不错,就加分吧,如果没有料件可以拆掉Q4或Q4 B级相连的电阻也可以

点评

不好意思 分数已经用完了 明天加  详情 回复 发表于 2015-6-30 23:58
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